公开(公告)号：CN1976002A

公开(公告)日：2007-06-06

申请号：CN200610143580.5

申请日：2006-11-09

Applicant: 三星电子株式会社 ,  国际商业机器公司

Inventor： 金在鹤 ,  朴玩哉 ,  林义雄

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/311

CPC classification number: H01L21/76808 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811

Abstract: 本发明提供了一种使用双金属镶嵌工艺形成通孔的方法，包括使用灰化工艺从低k材料中的凹形去除材料，而且在凹形的整个侧壁上保持保护间隔物以覆盖凹形中的低k材料。

公开(公告)号：CN1661799A

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN200410084013.8

申请日：2004-10-13

Applicant: 国际商业机器公司 ,  英芬能技术公司

Inventor： K·库马尔 ,  T·达尔顿 ,  L·克莱文杰 ,  A·考利 ,  D·C·拉图利普 ,  M·霍因基斯 ,  杨智超 ,  林义雄 ,  E·卡尔塔里奥格鲁 ,  M·瑙约克 ,  J·沙赫特

IPC: H01L23/552 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件。绝缘层包括第一介质材料和第二介质材料，第二介质材料不同于第一介质材料。在第一介质材料中形成具有第一图形的第一导电区，在第二介质材料中形成具有第二图形的第二导电区，第二图形不同于第一图形。第一介质材料和第二介质材料中的一个包括有机材料，另一个介质材料包括无机材料。第一和第二介质材料中的一个相对于另一个具有蚀刻选择性。还公开了在晶片保留在室中的同时清洁半导体晶片处理室的方法。

公开(公告)号：CN1661799B

公开(公告)日：2010-05-26

申请号：CN200410084013.8

申请日：2004-10-13

Applicant: 国际商业机器公司 ,  英芬能技术公司

Inventor： K·库马尔 ,  T·达尔顿 ,  L·克莱文杰 ,  A·考利 ,  D·C·拉图利普 ,  M·霍因基斯 ,  杨智超 ,  林义雄 ,  E·卡尔塔里奥格鲁 ,  M·瑙约克 ,  J·沙赫特

IPC: H01L23/552 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76835 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76813 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/53295 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种半导体器件。绝缘层包括第一介质材料和第二介质材料，第二介质材料不同于第一介质材料。在第一介质材料中形成具有第一图形的第一导电区，在第二介质材料中形成具有第二图形的第二导电区，第二图形不同于第一图形。第一介质材料和第二介质材料中的一个包括有机材料，另一个介质材料包括无机材料。第一和第二介质材料中的一个相对于另一个具有蚀刻选择性。还公开了在晶片保留在室中的同时清洁半导体晶片处理室的方法。