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公开(公告)号：CN119170599A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410180514.3
申请日：2024-02-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/522 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了半导体装置及其制造方法。半导体装置包括：包括有源图案的衬底；有源图案上的沟道图案；源极/漏极图案，其电连接到沟道图案；沟道图案上的栅电极；栅电极上的层间介电层，其中层间介电层包括凹部；凹部中的过孔件；布线线路，其在层间介电层上并电连接到过孔件；以及布线线路和层间介电层的上表面之间的粘附层，其中过孔件的上表面在第一方向上比层间介电层的上表面更靠近衬底，其中第一方向垂直于衬底的上表面，并且其中粘附层的一部分在凹部的内侧壁的一部分上。
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公开(公告)号：CN105448911B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201510603877.4
申请日：2015-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底上的N型鳍和P型鳍；第一栅电极，其被构造为与N型鳍交叉，并覆盖N型鳍的侧表面；第二栅电极，其被构造为与P型鳍交叉，并覆盖P型鳍的侧表面；第一源极/漏极，其位于N型鳍上，邻近于第一栅电极；第二源极/漏极，其位于P型鳍上，邻近于第二栅电极；缓冲层，其位于第二源极/漏极的表面上，并包括不同于第二源极/漏极的材料；层间绝缘层，其位于缓冲层和第一源极/漏极上；第一插塞，其连接至第一源极/漏极，并且穿过层间绝缘层；以及第二插塞，其连接至第二源极/漏极，并且穿过层间绝缘层和缓冲层。
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公开(公告)号：CN105448911A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510603877.4
申请日：2015-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/417
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底上的N型鳍和P型鳍；第一栅电极，其被构造为与N型鳍交叉，并覆盖N型鳍的侧表面；第二栅电极，其被构造为与P型鳍交叉，并覆盖P型鳍的侧表面；第一源极/漏极，其位于N型鳍上，邻近于第一栅电极；第二源极/漏极，其位于P型鳍上，邻近于第二栅电极；缓冲层，其位于第二源极/漏极的表面上，并包括不同于第二源极/漏极的材料；层间绝缘层，其位于缓冲层和第一源极/漏极上；第一插塞，其连接至第一源极/漏极，并且穿过层间绝缘层；以及第二插塞，其连接至第二源极/漏极，并且穿过层间绝缘层和缓冲层。
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公开(公告)号：CN106972015B
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN201610944717.0
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和第一上层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和第二上层间绝缘膜；第一接触部分，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间和第一层间绝缘膜中；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间，并且位于第二层间绝缘膜中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101140928A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710149125.0
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/02 , H01L29/78 , H01L21/82 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66515 , H01L29/665 , H01L29/6653 , H01L29/6656
Abstract: 本发明示例性实施例公开了一种防止栅分隔件应力及对硅化物区的物理和化学损坏的半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件包括：基底；隔离区，形成在基底中；栅图案，在基底上形成在隔离区之间；L形分隔件，与栅图案的侧壁相邻，并延伸到基底的表面；源/漏硅化物区，在L形分隔件的延伸到基底的表面的端部和隔离区之间形成在基底上；通孔塞，与源/漏硅化物区电连接；层间电介质层，与L形分隔件相邻，并填充形成在栅图案和基底上的通孔塞之间的空间；信号传输线，形成在层间电介质层上。
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公开(公告)号：CN119325275A
公开(公告)日：2025-01-17
申请号：CN202410777065.0
申请日：2024-06-17
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开涉及三维半导体器件及其制造方法。示例三维半导体器件包括：背面金属层；在背面金属层上的下有源区，下有源区包括下沟道图案和与下沟道图案连接的下源极/漏极图案；在下有源区上的上有源区，上有源区包括上沟道图案和与上沟道图案连接的上源极/漏极图案；包围下源极/漏极图案和上源极/漏极图案的层间绝缘层；在垂直方向上延伸穿过层间绝缘层的穿透导电图案；以及覆盖穿透导电图案的下部的侧表面的抑制剂。抑制剂包括碳原子。
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公开(公告)号：CN117497515A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202310679995.8
申请日：2023-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供半导体器件。一种半导体器件包括：下导电图案，设置在基底上；上导电图案，设置在下导电图案上；以及第一插塞图案，设置在下导电图案与上导电图案之间，并且连接到下导电图案和上导电图案。第一插塞图案包括限定第一插塞凹槽的第一阻挡图案和填充第一插塞凹槽的第一插塞金属图案，并且第一插塞金属图案包括第一钼图案和设置在第一钼图案上的第一钨图案。
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公开(公告)号：CN107452719A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710400074.8
申请日：2017-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/64
CPC classification number: H01L28/20 , H01L27/0629 , H01L29/7851 , H01L23/647
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括：绝缘层；绝缘层上的金属电阻图案；金属电阻图案的侧壁上的间隔物；以及与间隔物间隔开的栅接触，栅接触延伸到绝缘层中，其中绝缘层包括从其凸出的凸起，该凸起接触栅接触。
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公开(公告)号：CN106972015A
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201610944717.0
申请日：2016-10-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L29/417 , H01L29/423
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823456 , H01L21/823475 , H01L23/5283 , H01L27/0924 , H01L29/42364 , H01L29/42372 , H01L29/41791 , H01L29/42356
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件，该半导体器件包括：衬底，其包括第一区和第二区；第一区的衬底上的第一栅极结构和第二栅极结构；第二区的衬底上的第三栅极结构和第四栅极结构；第一层间绝缘膜，其位于第一区的衬底上，并且包括第一下层间绝缘膜和第一上层间绝缘膜；第二层间绝缘膜，其位于第二区的衬底上，并且包括第二下层间绝缘膜和第二上层间绝缘膜；第一接触部分，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间和第一层间绝缘膜中；以及第二接触部分，其形成在第三栅极结构与第四栅极结构之间，并且位于第二层间绝缘膜中。
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