-
公开(公告)号：CN111223834B
公开(公告)日：2023-09-19
申请号：CN201910800057.2
申请日：2019-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/498 , H01L23/538 , H01L27/088
Abstract: 提供了集成电路装置。所述集成电路装置包括：鳍型有源区，从基底的顶表面突出，并在与基底的顶表面平行的第一方向上延伸；栅极结构，与鳍型有源区交叉，并在基底上沿与第一方向垂直的第二方向延伸；源区/漏区，在鳍型有源区中位于栅极结构的第一侧上；第一接触结构，位于源区/漏区上；以及接触盖层，位于第一接触结构上。第一接触结构的顶表面在第一方向上具有第一宽度，接触盖层的底表面在第一方向上具有比上述第一宽度大的第二宽度，并且接触盖层包括从第一接触结构的侧壁向外延伸的突出部分。
-
公开(公告)号：CN106298877B
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN201610476203.7
申请日：2016-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一鳍型图案设置在衬底上。第一场绝缘薄膜邻近于第一鳍型图案的侧壁。第二场绝缘薄膜邻近于第一场绝缘薄膜的侧壁。第一场绝缘薄膜介于第一鳍型图案与第二场绝缘薄膜之间。第二场绝缘薄膜包括第一区和第二区。第一区更靠近第一场绝缘薄膜的侧壁。从第二场绝缘薄膜的底部至第二区的上表面的高度大于从第二场绝缘薄膜的底部至第一区的上表面的高度。
-
公开(公告)号：CN108133934A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201810063223.0
申请日：2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/11 , H01L27/12 , H01L21/764
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/764 , H01L27/0886 , H01L27/1116 , H01L27/1211
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。
-
公开(公告)号：CN103633127B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201310345516.5
申请日：2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/764 , H01L27/0886 , H01L27/1116 , H01L27/1211
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。
-
公开(公告)号：CN107871740A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710886543.1
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823431 , H01L21/823481 , H01L21/845 , H01L27/1211 , H01L29/6656 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108133934B
公开(公告)日：2022-07-05
申请号：CN201810063223.0
申请日：2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L27/11 , H01L27/12 , H01L21/764
Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。
-
公开(公告)号：CN106298877A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610476203.7
申请日：2016-06-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/10 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/762
CPC classification number: H01L21/31 , H01L21/823431 , H01L27/0886 , H01L29/7831 , H01L21/76229 , H01L29/1033 , H01L29/66484 , H01L29/66795 , H01L29/785
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一鳍型图案设置在衬底上。第一场绝缘薄膜邻近于第一鳍型图案的侧壁。第二场绝缘薄膜邻近于第一场绝缘薄膜的侧壁。第一场绝缘薄膜介于第一鳍型图案与第二场绝缘薄膜之间。第二场绝缘薄膜包括第一区和第二区。第一区更靠近第一场绝缘薄膜的侧壁。从第二场绝缘薄膜的底部至第二区的上表面的高度大于从第二场绝缘薄膜的底部至第一区的上表面的高度。
-
公开(公告)号：CN103633127A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310345516.5
申请日：2013-08-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L21/28 , H01L21/336
CPC classification number: H01L27/088 , H01L21/764 , H01L27/0886 , H01L27/1116 , H01L27/1211 , H01L27/1104 , H01L21/28 , H01L29/42364
Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。
-
公开(公告)号：CN118448415A
公开(公告)日：2024-08-06
申请号：CN202410708663.2
申请日：2017-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/088 , H01L21/8234
Abstract: 提供了在衬底和/或鳍中包括器件隔离区的半导体器件。半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。
-
公开(公告)号：CN109411536B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201810891561.3
申请日：2018-08-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L29/10 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种半导体装置，包含从衬底突出的有源图案及围绕有源图案的下部部分的绝缘结构。绝缘结构包含与衬底的顶部表面及有源图案的侧壁共形的绝缘层以及在绝缘层上的掩埋绝缘图案。本发明的半导体装置具有增强的可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
12
records
(took 0.023 seconds)
