公开(公告)号：CN106298877B

公开(公告)日：2021-04-23

申请号：CN201610476203.7

申请日：2016-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  吴景锡 ,  李承宰 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一鳍型图案设置在衬底上。第一场绝缘薄膜邻近于第一鳍型图案的侧壁。第二场绝缘薄膜邻近于第一场绝缘薄膜的侧壁。第一场绝缘薄膜介于第一鳍型图案与第二场绝缘薄膜之间。第二场绝缘薄膜包括第一区和第二区。第一区更靠近第一场绝缘薄膜的侧壁。从第二场绝缘薄膜的底部至第二区的上表面的高度大于从第二场绝缘薄膜的底部至第一区的上表面的高度。

公开(公告)号：CN106298877A

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201610476203.7

申请日：2016-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  吴景锡 ,  李承宰 ,  玄尚镇

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

CPC classification number: H01L21/31 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/7831 ,  H01L21/76229 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法如下。第一鳍型图案设置在衬底上。第一场绝缘薄膜邻近于第一鳍型图案的侧壁。第二场绝缘薄膜邻近于第一场绝缘薄膜的侧壁。第一场绝缘薄膜介于第一鳍型图案与第二场绝缘薄膜之间。第二场绝缘薄膜包括第一区和第二区。第一区更靠近第一场绝缘薄膜的侧壁。从第二场绝缘薄膜的底部至第二区的上表面的高度大于从第二场绝缘薄膜的底部至第一区的上表面的高度。