公开(公告)号：CN103633127A

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN201310345516.5

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶粲 ,  李承宰 ,  姜尚范 ,  郭大荣 ,  金明哲 ,  金庸淏

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/1211 ,  H01L27/1104 ,  H01L21/28 ,  H01L29/42364

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。

公开(公告)号：CN108133934B

公开(公告)日：2022-07-05

申请号：CN201810063223.0

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶粲 ,  李承宰 ,  姜尚范 ,  郭大荣 ,  金明哲 ,  金庸淏

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L27/12 ,  H01L21/764

Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。

公开(公告)号：CN108133934A

公开(公告)日：2018-06-08

申请号：CN201810063223.0

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶粲 ,  李承宰 ,  姜尚范 ,  郭大荣 ,  金明哲 ,  金庸淏

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/11 ,  H01L27/12 ,  H01L21/764

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/1211

Abstract: 提供了一种半导体装置，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；气隙，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，气隙的介电常数与绝缘件的介电常数不同。

公开(公告)号：CN103633127B

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201310345516.5

申请日：2013-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李晶粲 ,  李承宰 ,  姜尚范 ,  郭大荣 ,  金明哲 ,  金庸淏

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1116 ,  H01L27/1211

Abstract: 提供了一种半导体装置及其制造方法，该半导体装置包括：第一栅极图案，设置在基板的外围区域中；第二栅极图案，设置在基板的单元区域中；第一绝缘件，形成在第一栅极图案的侧壁上；以及第二绝缘件，形成在第二栅极图案的侧壁上，其中，第一绝缘件的介电常数与第二绝缘件的介电常数不同，以及其中，第二绝缘件的高度大于第二栅极图案的高度。