公开(公告)号：CN118448415A

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN202410708663.2

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  朴起丙 ,  吕京奂 ,  李承宰 ,  田炅烨 ,  河承锡 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了在衬底和/或鳍中包括器件隔离区的半导体器件。半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。

公开(公告)号：CN107871740A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710886543.1

申请日：2017-09-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭大荣 ,  朴起丙 ,  吕京奂 ,  李承宰 ,  田炅烨 ,  河承锡 ,  玄尚镇

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 提供了半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。