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公开(公告)号：CN116137168A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202211433564.5
申请日：2022-11-16
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 公开了非易失性存储器装置和非易失性存储器装置的操作方法。所述非易失性存储器装置包括：存储器单元阵列，包括分别连接到多条字线的多个存储器单元；多个第一传输晶体管，每个第一传输晶体管连接到所述多条字线中的一条字线的一侧；多个第二传输晶体管，每个第二传输晶体管连接到所述多条字线中的一条字线的另一侧；电压生成器，被配置为：生成多个操作电压，并且将所述多个操作电压施加到存储器单元阵列；响应于第一开关控制信号，第一开关电路被配置为将所述多个第一传输晶体管连接到电压生成器；并且响应于第二开关控制信号，第二开关电路被配置为将所述多个第二传输晶体管连接到电压生成器。
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公开(公告)号：CN115483218A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210644833.6
申请日：2022-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/11575 , H01L27/11548 , H01L25/18
Abstract: 一种存储器件，包括：在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一衬底，第一衬底包括存储单元区和第一外围电路区；以及第二衬底，包括第二外围电路区，在第一方向和第二方向上延伸，第二衬底在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上与第一衬底重叠。该存储器件还包括：存储单元阵列，设置在存储单元区中并且包括在第三方向上延伸的多个垂直沟道结构；设置在第二外围电路区中的外围电路；以及在第三方向上延伸穿过第一外围电路区和第二外围电路区的电阻器。该电阻器包括在第一方向上与多个垂直沟道结构重叠的多个电阻接触结构。
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公开(公告)号：CN1767069A
公开(公告)日：2006-05-03
申请号：CN200510099160.7
申请日：2005-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑宰镛
CPC classification number: G11C16/3436
Abstract: 提供一种数据验证方法和/或非易失性存储器，用于同时检测非易失性存储器的一个所选择存储单元的数据，以及验证非易失性存储器的一个不同存储单元的前一个检测数据的编程或擦除状态。可以由感测放大器、锁存器、输入/输出缓冲器和编程/擦除验证电路提供同时检测数据和验证编程或擦除状态的功能，所述感测放大器被配置来从非易失性存储器的存储单元感测数据，所述锁存器被配置来存储由感测放大器感测的数据，所述输入/输出缓冲器被配置来存储在锁存器中存储的数据，所述编程/擦除验证电路被配置来当感测放大器正在感测第二存储单元的数据的同时控制感测放大器、锁存器和输入/输出缓冲器向编程/擦除验证电路提供第一存储单元的前一个感测的数据以验证。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118263227A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202311760509.1
申请日：2023-12-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/544 , H03K21/02 , H03K21/08 , H01L21/66
Abstract: 公开了一种半导体芯片和一种半导体封装件。该半导体芯片包括：布线结构，其沿着半导体芯片的边缘布置；时钟计数器，其被配置为将测试信号输出到布线结构的第一节点，并且从布线结构的第二节点接收测试信号；以及振荡器，其被配置为将第一时钟信号输出到时钟计数器，其中，时钟计数器被配置为从测试信号被输出到布线结构的第一节点的第一时间到从布线结构的第二节点接收测试信号的第二时间对第一时钟信号的时钟的数量进行计数作为第一计数值，并且基于第一计数值将第一结果信号输出到控制器。
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公开(公告)号：CN108010555A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201710976440.4
申请日：2017-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C16/30 , G11C11/5635 , G11C11/5642 , G11C16/14 , G11C16/225 , G11C16/24 , G11C16/26 , G11C29/02 , G11C29/12005 , G11C2029/5004
Abstract: 一种非易失性存储设备，包括：存储单元阵列，存储数据；以及控制逻辑。所述控制逻辑被配置为控制对数据的读取操作、编程操作或擦除操作。所述控制逻辑还被配置为基于提供给存储单元阵列的电压源中的一个和第一参考电压，检测第一电源噪声，并基于电压源中的所述一个电压源、以及第一参考电压和第二参考电压中的每个，检测第二电源噪声。所述控制逻辑被配置为基于是否检测到第一和第二电源噪声中的至少一个，确定是否执行读取操作的操作时段、编程操作的操作时段或擦除操作的操作时段中的至少一个。
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公开(公告)号：CN1767069B
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN200510099160.7
申请日：2005-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 郑宰镛
CPC classification number: G11C16/3436
Abstract: 提供一种数据验证方法和/或非易失性存储器，用于同时检测非易失性存储器的一个所选择存储单元的数据，以及验证非易失性存储器的一个不同存储单元的前一个检测数据的编程或擦除状态。可以由感测放大器、锁存器、输入/输出缓冲器和编程/擦除验证电路提供同时检测数据和验证编程或擦除状态的功能，所述感测放大器被配置来从非易失性存储器的存储单元感测数据，所述锁存器被配置来存储由感测放大器感测的数据，所述输入/输出缓冲器被配置来存储在锁存器中存储的数据，所述编程/擦除验证电路被配置来当感测放大器正在感测第二存储单元的数据的同时控制感测放大器、锁存器和输入/输出缓冲器向编程/擦除验证电路提供第一存储单元的前一个感测的数据以验证。
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