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公开(公告)号：CN110580929B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201910461724.9
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置及非易失性存储器装置的擦除方法。包括多个将存储器单元和选择晶体管相连接的单元串的非易失性存储器装置的擦除方法包括：基于提供给选择晶体管中的至少一个选择晶体管的第一电极的擦除电压和提供给选择晶体管中的所述至少一个选择晶体管的第二电极的擦除控制电压，执行第一擦除操作；通过基于第一验证电压和第二验证电压执行多次擦除验证操作来确定是否存在慢擦除单元，其中，第二验证电压高于第一验证电压；当存在慢擦除单元时，调整擦除控制电压，使得擦除电压和擦除控制电压之间的电压差增大；并且基于调整后的擦除控制电压执行第二擦除操作。
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公开(公告)号：CN115483218A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210644833.6
申请日：2022-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/11575 , H01L27/11548 , H01L25/18
Abstract: 一种存储器件，包括：在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一衬底，第一衬底包括存储单元区和第一外围电路区；以及第二衬底，包括第二外围电路区，在第一方向和第二方向上延伸，第二衬底在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上与第一衬底重叠。该存储器件还包括：存储单元阵列，设置在存储单元区中并且包括在第三方向上延伸的多个垂直沟道结构；设置在第二外围电路区中的外围电路；以及在第三方向上延伸穿过第一外围电路区和第二外围电路区的电阻器。该电阻器包括在第一方向上与多个垂直沟道结构重叠的多个电阻接触结构。
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公开(公告)号：CN110580929A
公开(公告)日：2019-12-17
申请号：CN201910461724.9
申请日：2019-05-30
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种非易失性存储器装置及非易失性存储器装置的擦除方法。包括多个将存储器单元和选择晶体管相连接的单元串的非易失性存储器装置的擦除方法包括：基于提供给选择晶体管中的至少一个选择晶体管的第一电极的擦除电压和提供给选择晶体管中的所述至少一个选择晶体管的第二电极的擦除控制电压，执行第一擦除操作；通过基于第一验证电压和第二验证电压执行多次擦除验证操作来确定是否存在慢擦除单元，其中，第二验证电压高于第一验证电压；当存在慢擦除单元时，调整擦除控制电压，使得擦除电压和擦除控制电压之间的电压差增大；并且基于调整后的擦除控制电压执行第二擦除操作。
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