公开(公告)号：CN115483218A

公开(公告)日：2022-12-16

申请号：CN202210644833.6

申请日：2022-06-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权容奭 ,  卢永植 ,  朴相元 ,  徐圣鋎 ,  李东奎 ,  郑宰镛

IPC: H01L27/11529 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11548 ,  H01L25/18

Abstract: 一种存储器件，包括：在第一方向和垂直于第一方向的第二方向上延伸的第一衬底，第一衬底包括存储单元区和第一外围电路区；以及第二衬底，包括第二外围电路区，在第一方向和第二方向上延伸，第二衬底在垂直于第一方向和第二方向的第三方向上与第一衬底重叠。该存储器件还包括：存储单元阵列，设置在存储单元区中并且包括在第三方向上延伸的多个垂直沟道结构；设置在第二外围电路区中的外围电路；以及在第三方向上延伸穿过第一外围电路区和第二外围电路区的电阻器。该电阻器包括在第一方向上与多个垂直沟道结构重叠的多个电阻接触结构。

公开(公告)号：CN119012699A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202410556637.2

申请日：2024-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权容奭 ,  柳载德 ,  任琫淳

IPC: H10B43/10 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/40

Abstract: 提供了一种半导体装置和一种数据存储系统。半导体装置包括：第一半导体结构，其包括衬底、衬底上的电路和电连接到电路的下互连结构；以及第二半导体结构，其包括：板层，其位于第一半导体结构上；在垂直于板层的上表面的第一方向上交替地堆叠在板层上的栅电极和层间绝缘层；沟道结构，其穿过栅电极并且在第一方向上延伸；以及上电容器结构，其包括层间绝缘层上的上栅电极和在第一方向上延伸穿过上栅电极的上接触结构。

公开(公告)号：CN118486351A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202311781893.3

申请日：2023-12-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权容奭 ,  柳载悳 ,  朴商秀 ,  朴钟勋 ,  尹梓洋

IPC: G11C16/12 ,  G11C5/14

Abstract: 本公开提供了非易失性存储器件以及控制非易失性存储器件的方法。在一些实施例中，一种非易失性存储器件包括：电压发生器，所述电压发生器被配置为生成开关源电压；多个高电压开关电路，所述多个高电压开关电路被分组成多个开关组，并且被配置为基于所述开关源电压来生成多个开关控制信号；导电路径，所述导电路径被配置为将所述开关源电压从所述电压发生器传送到所述多个高电压开关电路；多个高电压开关，所述多个高电压开关被配置为基于所述多个开关控制信号来传送高电压；以及控制电路，所述控制电路被配置为相对于所述多个开关组中的每一个开关组独立地控制所述多个开关控制信号的转换时序。