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公开(公告)号：CN112099730A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010263658.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112099730B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202010263658.7
申请日：2020-04-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 首尔大学校产学协力团
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种访问包括存储器块的非易失性存储器件的方法，该存储器块中堆叠了包括字线的半导体层，所述方法包括：接收对存储器块的写入请求；确定该写入请求是否对应于一个或多个引导字线；响应于写入请求被确定为与引导字线相对应，在第一编程模式下对连接到所述一个或多个引导字线的存储器单元进行编程；当该写入请求被确定为对应于与引导字线不同的后续字线时，在第二编程模式下对连接到后续字线的存储器单元进行编程。利用第二编程参数执行第二编程模式，该第二编程参数包括编程脉冲的数量、编程验证脉冲的数量、编程开始电压和编程结束电压中的至少一个，该第二编程参数不同于第一编程模式的对应的第一参数。
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公开(公告)号：CN110622249A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880029199.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 首尔大学校产学协力团
Abstract: 根据本发明的一个实施例的闪存装置包括：选择晶体管，用于选择单元串；以及多个存储器单元，串联连接到选择晶体管，其中，选择晶体管可以被编程，使得选择晶体管的阈值电压变得高于未选择读取电压(Vread)，以保护存储在所述多个存储器单元中的至少一个中的数据。根据本发明的一个实施例的闪存可以通过调整选择晶体管或虚设存储器单元的阈值电压，来在短时间内永久地或临时地保护数据，并且在必要时容易地恢复原始数据而不丢失数据。
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公开(公告)号：CN110622249B
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN201880029199.7
申请日：2018-11-21
Applicant: 首尔大学校产学协力团
Abstract: 根据本发明的一个实施例的闪存装置包括：选择晶体管，用于选择单元串；以及多个存储器单元，串联连接到选择晶体管，其中，选择晶体管可以被编程，使得选择晶体管的阈值电压变得高于未选择读取电压(Vread)，以保护存储在所述多个存储器单元中的至少一个中的数据。根据本发明的一个实施例的闪存可以通过调整选择晶体管或虚设存储器单元的阈值电压，来在短时间内永久地或临时地保护数据，并且在必要时容易地恢复原始数据而不丢失数据。
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