公开(公告)号：CN100535744C

公开(公告)日：2009-09-02

申请号：CN200510124272.3

申请日：2005-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟安 ,  韩知行 ,  郑营培 ,  郑培铉

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G03F1/28 ,  G03F1/32 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14689 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供了一种曝光掩模，该曝光掩模包括：挡光不透明区，阻挡入射光；半透明区；和透明区，使大部分入射光穿过，其中，半透明区产生在大约-70°至大约+70°范围内的相位差。

公开(公告)号：CN101140374A

公开(公告)日：2008-03-12

申请号：CN200710141809.6

申请日：2007-08-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔浩根 ,  郑培铉 ,  金龙佑

IPC: G02F1/1333 ,  C03C15/00

Abstract: 本发明提供可以均匀地蚀刻玻璃基板的蚀刻液供应装置、蚀刻装置以及蚀刻方法。本发明所提供的蚀刻液供应装置，用于向在蚀刻槽中蚀刻玻璃基板的蚀刻装置供应由包含水、氢氟酸以及无机酸的多种成分组成的蚀刻液，并具有：蚀刻液容器，用于回收蚀刻槽中使用过的蚀刻液；蚀刻液移送部，用于将蚀刻液容器的蚀刻液供应到蚀刻槽；浓度测定单元，用于测定蚀刻液容器中蚀刻液组成成分的至少一部分可控组成成分浓度；组成成分供应部，用于将可控组成成分分别供应到蚀刻液容器；控制部，用于根据浓度测定单元的测定结果控制组成成分供应部供应可控组成成分。

公开(公告)号：CN101471350B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910003101.3

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵能镐 ,  金成昱 ,  朴龙吉 ,  郑培铉 ,  蔡东烨 ,  崔渊琇

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板。该TFT阵列面板包括：基底；栅极线，形成在基底上；数据线，形成在栅极线上；绝缘层，形成在数据线上；透射电极，形成在绝缘层上；反射电极，形成在透射电极上，并具有与透射电极的至少一个边缘基本一致的边缘。

公开(公告)号：CN101471350A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200910003101.3

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵能镐 ,  金成昱 ,  朴龙吉 ,  郑培铉 ,  蔡东烨 ,  崔渊琇

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板。该TFT阵列面板包括：基底；栅极线，形成在基底上；数据线，形成在栅极线上；绝缘层，形成在数据线上；透射电极，形成在绝缘层上；反射电极，形成在透射电极上，并具有与透射电极的至少一个边缘基本一致的边缘。

公开(公告)号：CN100524702C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610001076.1

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵能镐 ,  金成昱 ,  朴龙吉 ,  郑培铉 ,  蔡东烨 ,  崔渊琇

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明提供了一种以有成本效益的方式来制造TFT阵列面板的方法。该方法包括：形成薄膜晶体管，各薄膜晶体管具有栅电极、源电极和漏电极；在薄膜晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成电连接到漏电极的第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层；形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，其中第二部分比第一部分薄；通过使用光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀第二导电层；通过使用光致抗蚀剂层和第二导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀第一导电层。

公开(公告)号：CN1518774A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN02812362.X

申请日：2002-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边宰成 ,  李建宗 ,  林铉洙 ,  车钟焕 ,  郑培铉

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136236 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明涉及一种TFT阵列面板及其制造方法。为简化其制造过程，通过印刷有机绝缘材料形成栅极绝缘层及钝化层。本发明的TFT面板包括绝缘基板、和形成于该绝缘基板上的栅极布线。该栅极布线包括以第一方向延伸的栅极线及与该栅极线一端连接的栅极衬垫。在绝缘基板上形成栅极绝缘层，同时露出栅极衬垫及邻接该栅极衬垫的部分栅极线。在栅极绝缘层上形成半导体图案。在栅极绝缘层上形成数据布线。该数据布线包括以第二方向延伸并与栅极线交叉的数据线、连接数据线并与半导体图案接触的源极、面对源极并与半导体图案接触的漏极、以及连接数据线一端的数据衬垫。在栅极绝缘层上形成钝化层并露出数据衬垫及邻接该数据衬垫的部分数据线。

公开(公告)号：CN101092685A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710001440.9

申请日：2007-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽熙 ,  尹弼相 ,  姜镐民 ,  郑培铉

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136286 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3655 ,  C03C17/3671 ,  C03C2217/944 ,  C03C2218/153 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136295 ,  H05K3/146

Abstract: 本发明公开了一种形成金属薄膜的方法，包括：在对应于靶的区定位基底、靶包含银(Ag)并且提供于反应空间内、向反应空间内提供惰性气体和含氧气体。此外，所述方法还包括通过在靶和基底之间产生等离子体而在基底上形成含银(Ag)导电膜。

公开(公告)号：CN1825571A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610001076.1

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵能镐 ,  金成昱 ,  朴龙吉 ,  郑培铉 ,  蔡东烨 ,  崔渊琇

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明提供了一种以有成本效益的方式来制造TFT阵列面板的方法。该方法包括：形成薄膜晶体管，各薄膜晶体管具有栅电极、源电极和漏电极；在薄膜晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成电连接到漏电极的第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层；形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，其中第二部分比第一部分薄；通过使用光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀第二导电层；通过使用光致抗蚀剂层和第二导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀第一导电层。

公开(公告)号：CN1270388C

公开(公告)日：2006-08-16

申请号：CN02812362.X

申请日：2002-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 边宰成 ,  李建宗 ,  林铉洙 ,  车钟焕 ,  郑培铉

IPC: H01L29/786

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136236 ,  H01L29/4908

Abstract: 本发明涉及一种TFT阵列面板及其制造方法。为简化其制造过程，通过印刷有机绝缘材料形成栅极绝缘层及钝化层。本发明的TFT面板包括绝缘基板、和形成于该绝缘基板上的栅极布线。该栅极布线包括以第一方向延伸的栅极线及与该栅极线一端连接的栅极衬垫。在绝缘基板上形成栅极绝缘层，同时露出栅极衬垫及邻接该栅极衬垫的部分栅极线。在栅极绝缘层上形成半导体图案。在栅极绝缘层上形成数据布线。该数据布线包括以第二方向延伸并与栅极线交叉的数据线、连接数据线并与半导体图案接触的源极、面对源极并与半导体图案接触的漏极、以及连接数据线一端的数据衬垫。在栅极绝缘层上形成钝化层并露出数据衬垫及邻接该数据衬垫的部分数据线。

公开(公告)号：CN1790160A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200510124272.3

申请日：2005-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金钟安 ,  韩知行 ,  郑营培 ,  郑培铉

IPC: G03F1/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1288 ,  G03F1/28 ,  G03F1/32 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/14689 ,  H01L51/56

Abstract: 本发明提供了一种曝光掩模，该曝光掩模包括：挡光不透明区，阻挡入射光；半透明区；和透明区，使大部分入射光穿过，其中，半透明区产生在大约－70°至大约+70°范围内的相位差。