公开(公告)号：CN1763617A

公开(公告)日：2006-04-26

申请号：CN200510118119.X

申请日：2005-10-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金杨善 ,  金泽熙

IPC: G02F1/1368 ,  H01L29/786

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124

Abstract: 一种TFT基板，包括透明基板、扫描线、数据线、开关器件和像素电极。该扫描线形成在透明基板上。该数据线形成在透明基板上使得数据线与扫描线电绝缘。该开关器件包括电连接到该扫描线的栅极、电连接到该数据线的源极和漏极。该像素电极电连接到该漏极。扫描线和数据线至少之一包括第一金属层、形成在该第一金属层上的金属氧化物层和形成在该金属氧化物层上的第二金属层。因此，该金属氧化物层防止在制造TFT基板过程中第一金属层的腐蚀。

公开(公告)号：CN101092685A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710001440.9

申请日：2007-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金泽熙 ,  尹弼相 ,  姜镐民 ,  郑培铉

IPC: C23C14/34 ,  C23C14/06 ,  C23C14/54 ,  G02F1/1333

CPC classification number: G02F1/136286 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3655 ,  C03C17/3671 ,  C03C2217/944 ,  C03C2218/153 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136295 ,  H05K3/146

Abstract: 本发明公开了一种形成金属薄膜的方法，包括：在对应于靶的区定位基底、靶包含银(Ag)并且提供于反应空间内、向反应空间内提供惰性气体和含氧气体。此外，所述方法还包括通过在靶和基底之间产生等离子体而在基底上形成含银(Ag)导电膜。