公开(公告)号：CN100524702C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN200610001076.1

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵能镐 ,  金成昱 ,  朴龙吉 ,  郑培铉 ,  蔡东烨 ,  崔渊琇

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明提供了一种以有成本效益的方式来制造TFT阵列面板的方法。该方法包括：形成薄膜晶体管，各薄膜晶体管具有栅电极、源电极和漏电极；在薄膜晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成电连接到漏电极的第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层；形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，其中第二部分比第一部分薄；通过使用光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀第二导电层；通过使用光致抗蚀剂层和第二导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀第一导电层。

公开(公告)号：CN1825571A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610001076.1

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵能镐 ,  金成昱 ,  朴龙吉 ,  郑培铉 ,  蔡东烨 ,  崔渊琇

IPC: H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  G02F1/1368

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明提供了一种以有成本效益的方式来制造TFT阵列面板的方法。该方法包括：形成薄膜晶体管，各薄膜晶体管具有栅电极、源电极和漏电极；在薄膜晶体管上形成绝缘层；在绝缘层上形成电连接到漏电极的第一导电层；在第一导电层上形成第二导电层；形成包括第一部分和第二部分的光致抗蚀剂层，其中第二部分比第一部分薄；通过使用光致抗蚀剂层作为刻蚀阻挡件，用第一刻蚀剂来选择性刻蚀第二导电层；通过使用光致抗蚀剂层和第二导电层作为刻蚀阻挡件，用第二刻蚀剂来选择性刻蚀第一导电层。

公开(公告)号：CN101471350B

公开(公告)日：2011-05-25

申请号：CN200910003101.3

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵能镐 ,  金成昱 ,  朴龙吉 ,  郑培铉 ,  蔡东烨 ,  崔渊琇

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板。该TFT阵列面板包括：基底；栅极线，形成在基底上；数据线，形成在栅极线上；绝缘层，形成在数据线上；透射电极，形成在绝缘层上；反射电极，形成在透射电极上，并具有与透射电极的至少一个边缘基本一致的边缘。

公开(公告)号：CN101471350A

公开(公告)日：2009-07-01

申请号：CN200910003101.3

申请日：2006-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵能镐 ,  金成昱 ,  朴龙吉 ,  郑培铉 ,  蔡东烨 ,  崔渊琇

IPC: H01L27/12 ,  G02F1/1362

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L51/5284

Abstract: 本发明提供了一种TFT阵列面板。该TFT阵列面板包括：基底；栅极线，形成在基底上；数据线，形成在栅极线上；绝缘层，形成在数据线上；透射电极，形成在绝缘层上；反射电极，形成在透射电极上，并具有与透射电极的至少一个边缘基本一致的边缘。