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公开(公告)号：CN105280502B
公开(公告)日：2020-07-17
申请号：CN201510431098.0
申请日：2015-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 博尔纳·J·奥布拉多维奇 , 罗伯特·C·鲍恩 , 达尔门达·雷迪·帕勒 , 马克·S·勒德
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管，其包括具有堆叠半导体的第一沟道层和堆叠半导体的第二沟道层的纳米片材堆叠件。第一沟道层限定了隧道场效应晶体管的沟道区，并且第二沟道层限定了热电子场效应晶体管的沟道区。源极区和漏极区设置在纳米片材堆叠件的相对两侧上，以使得第一沟道层和第二沟道层在它们之间延伸。源极区的第一部分邻近第一沟道层，源极区的第二部分邻近具有相反半导体导电类型的第二沟道层。本发明还讨论了相关的制造和操作方法。
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公开(公告)号：CN106409907B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201610591020.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L21/336
Abstract: 公开了用于半导体装置的堆叠件和用于形成所述堆叠件的方法。所述堆叠件包括：多个牺牲层，每个牺牲层包括第一晶格参数；至少一个沟道层，包括与第一晶格参数不同的第二晶格参数，每个沟道层设置在两个牺牲层之间并与所述两个牺牲层接触。堆叠件形成在下层上，牺牲层与下层接触。下层包括第三晶格参数，所述第三晶格参数与在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层被允许连贯地弛豫时所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层将具有的晶格参数基本上相匹配。
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公开(公告)号：CN106409907A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610591020.X
申请日：2016-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/04 , H01L29/66477
Abstract: 公开了用于半导体装置的堆叠件和用于形成所述堆叠件的方法。所述堆叠件包括：多个牺牲层，每个牺牲层包括第一晶格参数；至少一个沟道层，包括与第一晶格参数不同的第二晶格参数，每个沟道层设置在两个牺牲层之间并与所述两个牺牲层接触。堆叠件形成在下层上，牺牲层与下层接触。下层包括第三晶格参数，所述第三晶格参数与在所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层被允许连贯地弛豫时所述多个牺牲层和所述至少一个沟道层将具有的晶格参数基本上相匹配。
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公开(公告)号：CN105280502A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510431098.0
申请日：2015-07-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 博尔纳·J·奥布拉多维奇 , 罗伯特·C·鲍恩 , 达尔门达·雷迪·帕勒 , 马克·S·勒德
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种场效应晶体管，其包括具有堆叠半导体的第一沟道层和堆叠半导体的第二沟道层的纳米片材堆叠件。第一沟道层限定了隧道场效应晶体管的沟道区，并且第二沟道层限定了热电子场效应晶体管的沟道区。源极区和漏极区设置在纳米片材堆叠件的相对两侧上，以使得第一沟道层和第二沟道层在它们之间延伸。源极区的第一部分邻近第一沟道层，源极区的第二部分邻近具有相反半导体导电类型的第二沟道层。本发明还讨论了相关的制造和操作方法。
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