公开(公告)号：CN117896984A

公开(公告)日：2024-04-16

申请号：CN202310698983.X

申请日：2023-06-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴芮鉁 ,  金承允 ,  金希锡 ,  金亨珍 ,  张世熙 ,  申旼树 ,  辛承俊 ,  千相勳 ,  韩智勳 ,  沈载煌 ,  安钟善

IPC: H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H10B43/50 ,  H10B41/27 ,  H10B41/35 ,  H10B41/50

Abstract: 公开了半导体装置和包括该半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：第一栅极堆叠结构，包括彼此交替地堆叠的第一介电图案和第一导电图案；存储器沟道结构，包括穿透第一栅极堆叠结构的第一存储器部分；贯通接触件，包括在与第一存储器部分的水平相同的水平处的第一贯通部分；以及连接接触件，包括在与第一存储器部分的水平和第一贯通部分的水平相同的水平处的第一连接部分。第一存储器部分的最小宽度小于第一贯通部分的最小宽度和第一连接部分的最小宽度。

公开(公告)号：CN115472617A

公开(公告)日：2022-12-13

申请号：CN202210650009.1

申请日：2022-06-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承允 ,  千相勳 ,  韩智勳

IPC: H01L27/11524 ,  H01L27/11548 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11575 ,  H01L27/11582 ,  H01L25/18

Abstract: 提供了半导体存储器装置和制造半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：单元单位，包括堆叠结构和穿过堆叠结构的沟道结构，堆叠结构位于基底上，堆叠结构包括至少一个串选择栅极和多个单元栅极；单元分隔结构，在第一方向上使单元单位分离；以及栅极切割结构，在相邻的单元分隔结构之间对单元单位内的区域进行限定。单元单位包括：第一区域，被限定在第一单元分隔结构与第一栅极切割结构之间；以及第二区域，被限定在第一栅极切割结构与第二栅极切割结构之间。所述至少一个串选择栅极在第二区域中由导电材料占据的区域的比率比至少一个单元栅极在第二区域中由导电材料占据的区域的比率大。

公开(公告)号：CN114078877A

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN202110906756.2

申请日：2021-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千相勳 ,  姜信焕 ,  金智焕 ,  韩智勳

IPC: H01L27/11565 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了一种半导体装置和包括半导体装置的电子系统。所述半导体装置包括：下结构，包括外围电路；堆叠结构，位于下结构上，从存储器单元阵列区域延伸到阶梯区域，并且包括在第一方向上布置在阶梯区域中的栅极堆叠区域和绝缘体堆叠区域；盖绝缘结构，位于堆叠结构上；以及分离结构，穿过栅极堆叠区域。堆叠结构包括交替且重复地堆叠的层间绝缘层和水平层，水平层包括栅极水平层和绝缘水平层，栅极堆叠区域包括栅极水平层，绝缘体堆叠区域中的每个包括绝缘水平层，在阶梯区域中，堆叠结构包括第一阶梯区域、连接阶梯区域和第二阶梯区域。