公开(公告)号：CN102468280A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201110347712.7

申请日：2011-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昌炫 ,  孙炳根 ,  朴赞真 ,  赵慧珍 ,  张盛壹

IPC: H01L25/00 ,  H01L27/115 ,  H01L23/528

CPC classification number: H01L27/11582 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11578 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/7926

Abstract: 本发明提供一种三维半导体器件。该三维半导体存储器件包括：在下结构上的上结构，该上结构包括导电图案；半导体图案，穿过上结构连接到下结构；以及绝缘间隔物，在半导体图案与上结构之间，绝缘间隔物的底表面位于等于或高于下结构的最高表面的竖直水平面。

公开(公告)号：CN1581509A

公开(公告)日：2005-02-16

申请号：CN200410055895.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  尹恩贞 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供金属氧化物半导体(MOS)晶体管的基本单元，该基本单元包括集成电路衬底和集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区和栅极区，栅极区在源区和漏区之间。在源区和漏区之间提供第一和第二沟道区。通过由沟槽区分开的集成电路衬底中的第一和第二间隔突起限定沟道区。第一和第二突起远离集成电路衬底延伸，第一和第二突起的上表面基本上与源区和漏区的上表面齐平。在第一和第二间隔突起的侧壁上和在第一和第二间隔突起的至少部分表面上延伸的沟槽区中提供栅电极。

公开(公告)号：CN1518127A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410001940.9

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  吴昌佑 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  赵慧珍 ,  尹恩贞 ,  李信爱 ,  崔晶东

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。

公开(公告)号：CN108695338A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201810268318.6

申请日：2018-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李炅奂 ,  裴敏敬 ,  金柄宅 ,  赵慧珍 ,  金容锡 ,  金泰勋 ,  林濬熙

IPC: H01L27/11582

Abstract: 竖直堆叠存储器件包括掺杂半导体衬底，所述掺杂半导体衬底具有施加了源极电力的公共源极以及与公共源极间隔开的低带隙层，并且所述低带隙层包括低带隙材料。堆叠栅极结构具有沿第一方向交替地且竖直地堆叠在衬底上的栅电极和绝缘间层图案。沟道结构沿第一方向穿透堆叠栅极结构。沟道结构与低带隙层接触。电荷存储结构介于堆叠栅极结构和沟道结构之间。电荷存储结构配置为选择性地存储电荷，并且将存储的电荷提供给存储单元、堆叠栅极结构和沟道结构。

公开(公告)号：CN101123275A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710139981.8

申请日：2007-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  金旻相 ,  金成玟 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7831

Abstract: 一种晶体管，包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源/漏区的各对覆盖源/漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区。在第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区上设置各第一和第二栅绝缘体。在该第一和第二栅绝缘体之间设置栅电极。第一和第二垂直沟道区可以被设置在覆盖源/漏区的相邻边缘附近。

公开(公告)号：CN1265441C

公开(公告)日：2006-07-19

申请号：CN02126876.2

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  金东贤 ,  权五益 ,  赵慧珍

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205 ,  B05B1/00 ,  B05B3/00

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  H01L21/67017

Abstract: 用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。

公开(公告)号：CN1781608A

公开(公告)日：2006-06-07

申请号：CN200510113532.7

申请日：2002-07-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴钟撤 ,  金东贤 ,  权五益 ,  赵慧珍

IPC: B05B1/02 ,  B05B3/00 ,  B05B1/14 ,  B05D7/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/45589 ,  H01L21/67017

Abstract: 用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。

公开(公告)号：CN101459146B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810184643.0

申请日：2008-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜熙秀 ,  李忠浩 ,  赵慧珍

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装及制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括半导体芯片，其中，该半导体芯片包括半导体衬底和布置在该半导体衬底上的多个单元晶体管。单元晶体管的沟道区具有在第一方向上延伸的沟道长度，并且该封装进一步包括具有在其上粘附有半导体芯片的上表面的支撑衬底。该支撑衬底被构造成相应于温度增加而以在第一方向上将拉应力施加到半导体芯片的沟道区的方式弯曲。同时公开了相关的方法。

公开(公告)号：CN101123275B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200710139981.8

申请日：2007-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  金旻相 ,  金成玟 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7831

Abstract: 一种晶体管，包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源/漏区的各对覆盖源/漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区。在第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区上设置各第一和第二栅绝缘体。在该第一和第二栅绝缘体之间设置栅电极。第一和第二垂直沟道区可以被设置在覆盖源/漏区的相邻边缘附近。

公开(公告)号：CN100550418C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200410001940.9

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  吴昌佑 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  赵慧珍 ,  尹恩贞 ,  李信爱 ,  崔晶东

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。