公开(公告)号：CN100380631C

公开(公告)日：2008-04-09

申请号：CN200510067049.X

申请日：2005-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安永峻 ,  朴东健 ,  李忠浩 ,  姜熙秀

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/1052 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种形成集成电路器件的方法包括，在半导体衬底的单元阵列部分中形成非平坦的场效应晶体管以及在半导体衬底的外围电路部分中形成平坦的场效应晶体管。非平坦的场效应晶体管可以选自FinFET和凹陷的栅极FET的组。掺杂剂可以被注入非平坦的场效应晶体管的沟道区，然后可以在非平坦的场效应晶体管上形成单元保护层。然后，可以使用单元保护层作为掩模，将掺杂剂有选择地注入平坦的场效应晶体管的沟道区，以阻挡掺杂剂注入到非平坦的场效应晶体管的沟道区中。

公开(公告)号：CN103855219A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310628274.0

申请日：2013-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  姜熙秀 ,  沈相必 ,  洪秀宪

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0692 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件可以包括场绝缘层，该场绝缘层包括在第一和第二正交方向延伸的平面主表面和相对于第一和第二正交方向从主表面突出特定距离的突出部分；第一和第二多沟道有源鳍可以在场绝缘层上延伸并可以通过突出部分彼此分离。导电层可以从突出部分的最上表面延伸以横跨位于第一和第二多沟道有源鳍之间的突出部分。

公开(公告)号：CN101373774B

公开(公告)日：2013-02-06

申请号：CN200810144565.1

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜熙秀 ,  李忠浩

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/84

CPC classification number: G11C16/0483 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 通过在从集成电路衬底延伸出不同距离的相邻半导体基架上形成存储器单元的相邻行，可减小集成电路衬底上存储器单元的相邻行中的耦合。还公开了包括不同基架高度的NAND闪速存储器器件和集成电路存储器器件的制造方法。

公开(公告)号：CN101373774A

公开(公告)日：2009-02-25

申请号：CN200810144565.1

申请日：2008-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜熙秀 ,  李忠浩

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/12 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/84

CPC classification number: G11C16/0483 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11568

Abstract: 通过在从集成电路衬底延伸出不同距离的相邻半导体基架上形成存储器单元的相邻行，可减小集成电路衬底上存储器单元的相邻行中的耦合。还公开了包括不同基架高度的NAND闪速存储器器件和集成电路存储器器件的制造方法。

公开(公告)号：CN1700446A

公开(公告)日：2005-11-23

申请号：CN200510067049.X

申请日：2005-04-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安永峻 ,  朴东健 ,  李忠浩 ,  姜熙秀

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823462 ,  H01L27/1052 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7851

Abstract: 一种形成集成电路器件的方法包括，在半导体衬底的单元阵列部分中形成非平坦的场效应晶体管以及在半导体衬底的外围电路部分中形成平坦的场效应晶体管。非平坦的场效应晶体管可以选自FinFET和凹陷的栅极FET的组。掺杂剂可以被注入非平坦的场效应晶体管的沟道区，然后可以在非平坦的场效应晶体管上形成单元保护层。然后，可以使用单元保护层作为掩模，将掺杂剂有选择地注入平坦的场效应晶体管的沟道区，以阻挡掺杂剂注入到非平坦的场效应晶体管的沟道区中。

公开(公告)号：CN108428734B

公开(公告)日：2022-01-25

申请号：CN201810224652.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  姜熙秀 ,  沈相必 ,  洪秀宪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  B82Y10/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：场绝缘层，其包括具有在第一和第二正交方向上延伸的平面主表面的第一区域以及垂直地设置在主表面上的第二区域，第二区域的顶表面离主表面具有特定距离；第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍，其在场绝缘层上延伸，第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍由场绝缘层的相对于第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍正交地延伸的第二区域分离；设置在第一多沟道有源鳍上的第一栅极以及设置在第二多沟道有源鳍上的第二栅极；以及设置在场绝缘层的第二区域与第一栅极之间的第一外延源/漏区以及设置在场绝缘层的第二区域与第二栅极之间的第二外延源/漏区。

公开(公告)号：CN105679673A

公开(公告)日：2016-06-15

申请号：CN201510736185.7

申请日：2015-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑在烨 ,  姜熙秀 ,  郑熙暾 ,  朴世玩

IPC: H01L21/336

Abstract: 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一多沟道有源图案；场绝缘层，设置在第一多沟道有源图案上并且包括第一区域和第二区域，第一区域具有从第二区域的顶表面向第一多沟道有源图案的顶表面突出的顶表面；第一栅电极，穿过第一多沟道有源图案，第一栅电极设置在场绝缘层上；第一源极或漏极，设置在第一栅电极和场绝缘层的第一区域之间，并且包括第一刻面，第一刻面被设置为在比第一多沟道有源图案的顶表面低的点处与场绝缘层的第一区域相邻。

公开(公告)号：CN104425493A

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：CN201410058492.X

申请日：2014-02-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪秀宪 ,  姜熙秀 ,  金炫助 ,  沈相必 ,  郑熙暾

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L27/0886 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481

Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其包括具有在第一方向上纵向对准的第一鳍、第二鳍和第三鳍的基板。第一沟槽在第一鳍和第二鳍之间延伸，第二沟槽在第二鳍和第三鳍之间延伸。场绝缘材料的第一部分设置在第一沟槽中，场绝缘材料的第二部分设置在第二沟槽中。场绝缘材料的第二部分的上表面在第二沟槽中在第二鳍和第三鳍的最上表面下面的水平处凹进。第一虚设栅极设置在场绝缘材料的第一部分的上表面上，第二虚设栅极至少部分地延伸到第二沟槽中至场绝缘材料的第二部分的上表面。

公开(公告)号：CN101459146B

公开(公告)日：2012-01-25

申请号：CN200810184643.0

申请日：2008-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜熙秀 ,  李忠浩 ,  赵慧珍

IPC: H01L23/12 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/823412 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种半导体封装及制造该半导体封装的方法。该半导体封装包括半导体芯片，其中，该半导体芯片包括半导体衬底和布置在该半导体衬底上的多个单元晶体管。单元晶体管的沟道区具有在第一方向上延伸的沟道长度，并且该封装进一步包括具有在其上粘附有半导体芯片的上表面的支撑衬底。该支撑衬底被构造成相应于温度增加而以在第一方向上将拉应力施加到半导体芯片的沟道区的方式弯曲。同时公开了相关的方法。

公开(公告)号：CN108428734A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810224652.1

申请日：2013-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 前田茂伸 ,  姜熙秀 ,  沈相必 ,  洪秀宪

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/775 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/0692 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1037 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 一种半导体器件可以包括：场绝缘层，其包括具有在第一和第二正交方向上延伸的平面主表面的第一区域以及垂直地设置在主表面上的第二区域，第二区域的顶表面离主表面具有特定距离；第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍，其在场绝缘层上延伸，第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍由场绝缘层的相对于第一多沟道有源鳍和第二多沟道有源鳍正交地延伸的第二区域分离；设置在第一多沟道有源鳍上的第一栅极以及设置在第二多沟道有源鳍上的第二栅极；以及设置在场绝缘层的第二区域与第一栅极之间的第一外延源/漏区以及设置在场绝缘层的第二区域与第二栅极之间的第二外延源/漏区。