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公开(公告)号：CN106910757B
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN201610971763.X
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/488
Abstract: 层叠型半导体器件包括下部器件和设置在下部器件上的上部器件。下部器件包括下基板、在下基板上的下部互连、在下部互连上的下部焊垫、以及覆盖下部互连的侧表面和下部焊垫的侧表面的下部层间绝缘层。上部器件包括上基板、在上基板下面的上部互连、在上部互连下面的上部焊垫、以及覆盖上部互连的侧表面和上部焊垫的侧表面的上部层间绝缘层。每个焊垫具有厚部分和薄部分。焊垫的薄部分接合到彼此，下部焊垫的厚部分接触上部层间绝缘层的底部，上部焊垫的厚部分接触下部层间绝缘层的顶部。
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公开(公告)号：CN105743964B
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201510900696.8
申请日：2015-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种用于使用虚拟装置驱动器共享资源的方法及其电子装置。所述方法包括：在客户端电子装置中产生与主机电子装置的真实装置驱动器相应的虚拟装置驱动器；通过使用虚拟装置驱动器经由在主机电子装置中指定的第一通信机制来从主机电子装置接收资源；在第一通信机制改变到在主机中指定的第二通信机制之后，通过使用虚拟装置驱动器来从主机电子装置接收资源。
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公开(公告)号：CN105743964A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201510900696.8
申请日：2015-12-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供一种用于使用虚拟装置驱动器共享资源的方法及其电子装置。所述方法包括：在客户端电子装置中产生与主机电子装置的真实装置驱动器相应的虚拟装置驱动器；通过使用虚拟装置驱动器经由在主机电子装置中指定的第一通信机制来从主机电子装置接收资源；在第一通信机制改变到在主机中指定的第二通信机制之后，通过使用虚拟装置驱动器来从主机电子装置接收资源。
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公开(公告)号：CN100435274C
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200510113532.7
申请日：2002-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00 , C23C16/455 , B05B1/02 , B05B3/00 , B05D1/02
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45589 , H01L21/67017
Abstract: 用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。
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公开(公告)号：CN1397991A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN02126876.2
申请日：2002-07-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/205 , B05B1/00 , B05B3/00
CPC classification number: C23C16/45565 , C23C16/45589 , H01L21/67017
Abstract: 用于调节在半导体器件制造反应室的处理区域中的反应气体分布的喷头，其中顶板具有气体口，用于向反应室引入反应气体；面板，它具有多个通孔，与处理区域相对地设置，所述面板具有多个通孔；第一挡板，具有多个通孔，在顶板和面板之间设置，能够上下移动，其中第一挡板具有顶表面，它限定形成反应气体的第一横向流动通道的第一间隙；第二挡板，具有多个通孔，在第一挡板和面板之间设置，它能够上下移动，其中第二挡板具有顶表面，所述顶表面限定形成第二横向流动通道的第二间隙；和间隙控制器，用于确定第一间隙的宽度和第二间隙的宽度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118943041A
公开(公告)日：2024-11-12
申请号：CN202410348471.5
申请日：2024-03-26
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 朴柾俊 , 高钟星 , 金大容 , 金东贤 , 金志洙 , 金平刚 , 朴基鸿 , 朴正濬 , 朴柱永 , 朴俊赫 , 宋镐石 , 安治昊 , 李供雨 , 李现英 , 郑周泳 , 黄政闵
IPC: H01L21/67 , H01L21/687 , H01J37/20 , H01J37/32
Abstract: 提供了腔室内维护设备。所述腔室内维护设备可以包括：载物台模块，包括：载物台主体，在具有中空内部的腔室内；XY载物台，安装在载物台主体的上表面上并且在彼此垂直的X轴和Y轴方向上可移动；以及第一驱动部，被配置为驱动XY载物台；以及夹持器模块，包括：夹持器主体，结合到XY载物台的上表面；夹持部，通过夹持器主体支撑并且被配置为相对于与X轴和Y轴垂直的Z轴上下移动和旋转以插入中空内部；以及第二驱动部，被配置为驱动夹持部。
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公开(公告)号：CN105006483B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201510194427.4
申请日：2015-04-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供了一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：第一有源鳍和第二有源鳍，它们从衬底突出并沿着第一方向延伸；第一栅极结构，其位于第一有源鳍上以沿着与第一方向交叉的第二方向延伸；第二栅极结构，其布置为在第二方向上邻近于第一栅极结构，并且位于第二有源鳍上以沿着第二方向延伸；以及伪结构，其位于第一栅极结构与第二栅极结构之间的空间中。
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公开(公告)号：CN106910757A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201610971763.X
申请日：2016-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L23/488
Abstract: 层叠型半导体器件包括下部器件和设置在下部器件上的上部器件。下部器件包括下基板、在下基板上的下部互连、在下部互连上的下部焊垫、以及覆盖下部互连的侧表面和下部焊垫的侧表面的下部层间绝缘层。上部器件包括上基板、在上基板下面的上部互连、在上部互连下面的上部焊垫、以及覆盖上部互连的侧表面和上部焊垫的侧表面的上部层间绝缘层。每个焊垫具有厚部分和薄部分。焊垫的薄部分接合到彼此，下部焊垫的厚部分接触上部层间绝缘层的底部，上部焊垫的厚部分接触下部层间绝缘层的顶部。
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公开(公告)号：CN104851909A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510063625.7
申请日：2015-02-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L27/0886 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L29/0847 , H01L29/42356 , H01L29/66545 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785
Abstract: 本公开提供了具有包括多个段的源极/漏极区的集成电路器件。集成电路器件可以包括在基板上的栅极结构以及在邻近栅极结构的基板中的源极/漏极区。源极/漏极区可以包括侧壁，该侧壁包括多个弯曲的侧壁部分。
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公开(公告)号：CN100472759C
公开(公告)日：2009-03-25
申请号：CN200510088547.2
申请日：2005-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11521 , H01L27/115
Abstract: 一种非易失性存储器器件包括半导体衬底、器件隔离膜、隧道绝缘膜、多个浮置栅、栅间绝缘膜、和控制栅图案。在其间限定有源区的衬底中形成沟槽。器件隔离膜在衬底内的沟槽中。隧道绝缘膜在衬底的有源区上。多个浮置栅每个都在衬底的有源区上方的隧道绝缘膜上。栅间绝缘膜横跨浮置栅和器件隔离膜延伸。控制栅图案在栅间绝缘膜上并横跨浮置栅延伸。沟槽中的器件隔离膜的中部具有凹陷在沟槽中的器件隔离膜的周围区域的上主表面下面的上主表面。器件隔离膜凹陷中部的边缘与浮置栅的相邻的一个的侧壁排成直线。
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