公开(公告)号：CN119183299A

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202410180212.6

申请日：2024-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢炯均 ,  裴真秀 ,  柳根豪 ,  崔德瑄 ,  崔钟璨

IPC: H10B80/00 ,  H01L23/64 ,  H01L23/498 ,  H01L23/04 ,  H01L23/538

Abstract: 公开了一种半导体存储器模块。该半导体存储器模块包括：第一基板，其包括第一拐角部；第一半导体封装件，其安装在第一基板的下表面上；第二基板，其设置在第一基板上方，并包括与第一拐角部相对应的第二拐角部；第二半导体封装件，其安装在第二基板的上表面上；以及固定结构，第一拐角部和第二拐角部装配在固定结构中。

公开(公告)号：CN115700909A

公开(公告)日：2023-02-07

申请号：CN202210860684.7

申请日：2022-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢炯均 ,  柳根豪 ,  裴相友 ,  裴真秀 ,  崔德瑄 ,  崔镒朱

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/485 ,  H01L25/18 ,  H10B41/35 ,  H01L23/488

Abstract: 本公开提供了一种能够提高性能和可靠性的半导体封装件。本公开的半导体封装件包括彼此电连接的第一装置和第二装置，第一装置包括衬底、形成在衬底的上侧的第一焊盘和形成在衬底的上侧并且形成为包围第一焊盘的钝化膜，第二装置包括布置为面对第一焊盘的第二焊盘，并且第一焊盘包括具有第一弹性模量的中心焊盘和具有小于第一弹性模量的第二弹性模量的边缘焊盘，边缘焊盘形成为包围中心焊盘并且接触钝化膜。