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公开(公告)号：CN108305867B
公开(公告)日：2021-06-15
申请号：CN201810309622.0
申请日：2014-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/525
Abstract: 提供了一种半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构可以包括：第一金属材料的熔断体，连接阴极与阳极；覆盖电介质，覆盖熔断体的顶表面；以及虚设金属塞，贯穿覆盖电介质并接触熔断体，虚设金属塞包括位于金属层和熔断体之间的阻挡金属层，其中，阻挡金属层包括与第一金属材料不同的第二金属材料，其中，熔断体的宽度基本等于或小于阳极的宽度和阴极的宽度。
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公开(公告)号：CN105304610B
公开(公告)日：2018-09-18
申请号：CN201510035708.5
申请日：2015-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔贤民
IPC: H01L23/525 , H01L23/58
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种具有改善的熔丝性能以在低电压下能够进行编程操作的半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构包括：第一金属图案，形成在第一纵向上的水平面，第一金属图案包括沿第一方向延伸的第一部件、沿第一方向延伸并且布置成邻近于第一部件的第二部件以及邻近于第二部件的第三部件，第二部件位于第一部件和第三部件之间，第一部件和第二部件彼此电连接，第三部件与第二部件电断开连接；以及第二金属图案，电连接到第一金属图案，并形成在不同于第一纵向上的水平面的第二纵向上的水平面。
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公开(公告)号：CN106910740A
公开(公告)日：2017-06-30
申请号：CN201611019131.X
申请日：2016-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112
CPC classification number: H01L27/11206 , H01L23/5252 , H01L29/42376 , H01L29/495 , H01L29/517 , H01L29/7851 , H01L27/1122 , H01L27/11246
Abstract: 提供了一种一次性可编程(OTP)存储装置、其制造方法及包含其的电子装置，所述一次性可编程存储装置使编程电压降低，以增强编程效率，增加用于OTP存储装置的设计的外围输入/输出(I/O)元件的可靠性，并且简化设计。OTP存储装置包括具有第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构中的一种栅极结构的晶体管，第一栅极结构包括高k介电层、稀土元素(RE)供给层和第二金属层，第二栅极结构包括高k介电层、第一金属层和第二金属层，第三栅极结构包括高k介电层和第二金属层。
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公开(公告)号：CN106910740B
公开(公告)日：2022-01-18
申请号：CN201611019131.X
申请日：2016-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112
Abstract: 提供了一种一次性可编程(OTP)存储装置、其制造方法及包含其的电子装置，所述一次性可编程存储装置使编程电压降低，以增强编程效率，增加用于OTP存储装置的设计的外围输入/输出(I/O)元件的可靠性，并且简化设计。OTP存储装置包括具有第一栅极结构、第二栅极结构和第三栅极结构中的一种栅极结构的晶体管，第一栅极结构包括高k介电层、稀土元素(RE)供给层和第二金属层，第二栅极结构包括高k介电层、第一金属层和第二金属层，第三栅极结构包括高k介电层和第二金属层。
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公开(公告)号：CN105304636A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510303005.6
申请日：2015-06-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
CPC classification number: G11C17/16 , H01L23/5252 , H01L27/11206 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种存储器装置，包括：沿着第一方向按次序布置的第一有源区至第四有源区，它们沿着与第一方向不同的第二方向延伸；第一栅电极，其形成在第一有源区至第四有源区上以与第一有源区至第四有源区交叉，并且沿着第一方向延伸；第二栅电极，其形成在第一有源区至第四有源区上以与第一有源区至第四有源区交叉，该第二栅电极沿着第一方向延伸，并且布置为使得沿着第二方向在第一栅电极与第二栅电极之间不存在其它栅电极；第一栅电极在第一端与第二端之间延伸；第一布线，其形成在第一栅电极上；第一带触点，其在第一有源区与第二有源区之间将第一布线与第一栅电极连接；以及第二带触点，其在第三有源区与第四有源区之间将第一布线与第一栅电极连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104979362B
公开(公告)日：2019-11-19
申请号：CN201510163033.2
申请日：2015-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/112 , H01L23/525 , G11C17/16
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：多个翅片式有源图案，沿第一方向延伸，并且相对于彼此沿与第一方向不同的第二方向布置；接触件，电连接到所述多个翅片式有源图案；第一栅电极，沿第二方向延伸并形成在所述多个翅片式有源图案中的至少两个上；第二栅电极，沿第二方向延伸并形成在所述多个翅片式有源图案中的至少一个上。第一栅电极设置在接触件和第二栅电极之间，与第一栅电极交叉的翅片式有源图案的数量比与第二栅电极交叉的翅片式有源图案的数量多。
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公开(公告)号：CN104979328B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201510129060.8
申请日：2015-03-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/525 , H01L27/06 , H01L21/768 , H01L21/8234
Abstract: 提供了一种熔丝结构以及包括该熔丝结构的半导体装置，所述熔丝结构包括：设置在场绝缘层中的第一鳍状图案，包括在场绝缘层的上表面上方突出的上表面；在场绝缘层上的导电图案，与第一鳍状图案交叉；第一半导体区，位于导电图案的至少一侧上；以及第一接触件和第二接触件，设置在第一鳍状图案的两侧上的导电图案上。
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公开(公告)号：CN108305867A
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201810309622.0
申请日：2014-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/525
Abstract: 提供了一种半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构可以包括：第一金属材料的熔断体，连接阴极与阳极；覆盖电介质，覆盖熔断体的顶表面；以及虚设金属塞，贯穿覆盖电介质并接触熔断体，虚设金属塞包括位于金属层和熔断体之间的阻挡金属层，其中，阻挡金属层包括与第一金属材料不同的第二金属材料，其中，熔断体的宽度基本等于或小于阳极的宽度和阴极的宽度。
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公开(公告)号：CN105304610A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：CN201510035708.5
申请日：2015-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 崔贤民
IPC: H01L23/525 , H01L23/58
Abstract: 提供了一种半导体装置和一种具有改善的熔丝性能以在低电压下能够进行编程操作的半导体装置的电熔丝结构。所述电熔丝结构包括：第一金属图案，形成在第一纵向上的水平面，第一金属图案包括沿第一方向延伸的第一部件、沿第一方向延伸并且布置成邻近于第一部件的第二部件以及邻近于第二部件的第三部件，第二部件位于第一部件和第三部件之间，第一部件和第二部件彼此电连接，第三部件与第二部件电断开连接；以及第二金属图案，电连接到第一金属图案，并形成在不同于第一纵向上的水平面的第二纵向上的水平面。
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公开(公告)号：CN104979362A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510163033.2
申请日：2015-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：多个翅片式有源图案，沿第一方向延伸，并且相对于彼此沿与第一方向不同的第二方向布置；接触件，电连接到所述多个翅片式有源图案；第一栅电极，沿第二方向延伸并形成在所述多个翅片式有源图案中的至少两个上；第二栅电极，沿第二方向延伸并形成在所述多个翅片式有源图案中的至少一个上。第一栅电极设置在接触件和第二栅电极之间，与第一栅电极交叉的翅片式有源图案的数量比与第二栅电极交叉的翅片式有源图案的数量多。
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