公开(公告)号：CN105633165B

公开(公告)日：2020-08-04

申请号：CN201510845580.9

申请日：2015-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·凯特尔 ,  伯纳·乔司·奥勃特道威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  马克·S·罗迪尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45

Abstract: 提供了包括异质结的半导体器件、电子器件及其接触结构。所述半导体器件可以包括金属接触件和沟道区，该沟道区具有在半导体器件的操作(导通状态)期间用于沟道区中的多数载流子的第一半导体材料。源/漏区可以包括包含第二半导体材料的半导体材料合金以及位于金属接触件和沟道区之间的至少一个异质结，其中，异质结形成用于多数载流子的能带边缘偏移，该能带边缘偏移小于或等于约0.2eV。

公开(公告)号：CN105633165A

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201510845580.9

申请日：2015-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 乔治·A·凯特尔 ,  伯纳·乔司·奥勃特道威 ,  罗伯特·克里斯图福·博文 ,  马克·S·罗迪尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/45

Abstract: 提供了包括异质结的半导体器件、电子器件及其接触结构。所述半导体器件可以包括金属接触件和沟道区，该沟道区具有在半导体器件的操作(导通状态)期间用于沟道区中的多数载流子的第一半导体材料。源/漏区可以包括包含第二半导体材料的半导体材料合金以及位于金属接触件和沟道区之间的至少一个异质结，其中，异质结形成用于多数载流子的能带边缘偏移，该能带边缘偏移小于或等于约0.2eV。