公开(公告)号：CN107316930A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710275170.4

申请日：2017-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐钟完 ,  金镇夏 ,  禹光福 ,  李东勋 ,  李源晙 ,  黄善焕

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/508 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L33/58 ,  H01L33/22 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058

Abstract: 一种半导体发光器件可以包括半导体发光二极管(LED)芯片、在LED芯片上的光透射膜以及在光透射膜与半导体LED芯片之间的光透射接合层。光透射膜和光透射接合层的至少之一可以包括波长转换材料，该波长转换材料配置为将由半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。光透射接合层可以具有延伸到侧表面以形成倾斜面的侧面倾斜区域。半导体发光器件还可以包括反射封装部分，该反射封装部分围绕光透射接合层，覆盖第一表面使得LED芯片的电极被至少部分地暴露。反射封装部分可以包括反射材料。

公开(公告)号：CN107316930B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201710275170.4

申请日：2017-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐钟完 ,  金镇夏 ,  禹光福 ,  李东勋 ,  李源晙 ,  黄善焕

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: 一种半导体发光器件可以包括半导体发光二极管(LED)芯片、在LED芯片上的光透射膜以及在光透射膜与半导体LED芯片之间的光透射接合层。光透射膜和光透射接合层的至少之一可以包括波长转换材料，该波长转换材料配置为将由半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。光透射接合层可以具有延伸到侧表面以形成倾斜面的侧面倾斜区域。半导体发光器件还可以包括反射封装部分，该反射封装部分围绕光透射接合层，覆盖第一表面使得LED芯片的电极被至少部分地暴露。反射封装部分可以包括反射材料。

公开(公告)号：CN115831908A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211073382.1

申请日：2022-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金瑾雨 ,  申志源 ,  权洞煜 ,  明宇蓝 ,  禹光福

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了用于半导体封装件的安装基板和半导体封装件。所述安装基板包括：具有彼此相对的上表面和下表面的基板，所述基板包括多个绝缘层和分别位于所述多个绝缘层中的布线；第一基板焊盘和第二基板焊盘，在所述安装基板的芯片安装区域中位于所述上表面上；吸热焊盘，在所述安装基板的与所述芯片安装区域相邻的外围区域中位于所述上表面上；以及位于所述基板中的连接线，所述连接线被配置为将所述吸热焊盘和所述第二基板焊盘彼此导热地结合。

公开(公告)号：CN114068446A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110776784.7

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申志源 ,  权洞煜 ,  禹光福 ,  池珉昇

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装件包括：彼此堆叠的第一子半导体装置、中间层和第二子半导体装置，以及覆盖第二子半导体装置的散热器。第一子半导体装置包括第一衬底和第一半导体芯片。中间层包括电介质层、与电介质层的底表面接触的导热层、与电介质层的顶表面接触的第一导热焊盘以及穿过电介质层以将导热层连接至第一导热焊盘的导热穿通件。导热层的底表面邻近于第一半导体芯片的顶表面并且连接至第一半导体芯片的顶表面。第二子半导体装置设置在电介质层上，而不与第一导热焊盘重叠。散热器还覆盖第一导热焊盘，以与第一导热焊盘连接。