公开(公告)号：CN114864788A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210108778.9

申请日：2022-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东国 ,  金大燮 ,  申东明 ,  张牛锡 ,  黄善焕

IPC: H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L25/075

Abstract: 提供一种半导体发光装置。该半导体发光装置包括：LED芯片，其具有下表面、上表面和位于上表面与下表面之间的侧表面；第一导电凸块和第二导电凸块，其设置在所述下表面上；第一波长转换层，其具有设置在LED芯片的上表面上的第一区域和延伸超过LED芯片的侧表面的第二区域；第二波长转换层，其具有与LED芯片的侧表面接触的第一表面、第二表面、连接第一表面和第二表面并与所述第二区域接触的第三表面、以及与第三表面相对定位并倾斜的第四表面；以及反射树脂部分，其设置在LED芯片的下表面和所述第四表面上。

公开(公告)号：CN107316930A

公开(公告)日：2017-11-03

申请号：CN201710275170.4

申请日：2017-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐钟完 ,  金镇夏 ,  禹光福 ,  李东勋 ,  李源晙 ,  黄善焕

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L33/50 ,  H01L33/502 ,  H01L33/508 ,  H01L33/56 ,  H01L33/62 ,  H01L33/58 ,  H01L33/22 ,  H01L33/60 ,  H01L2933/0041 ,  H01L2933/0058

Abstract: 一种半导体发光器件可以包括半导体发光二极管(LED)芯片、在LED芯片上的光透射膜以及在光透射膜与半导体LED芯片之间的光透射接合层。光透射膜和光透射接合层的至少之一可以包括波长转换材料，该波长转换材料配置为将由半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。光透射接合层可以具有延伸到侧表面以形成倾斜面的侧面倾斜区域。半导体发光器件还可以包括反射封装部分，该反射封装部分围绕光透射接合层，覆盖第一表面使得LED芯片的电极被至少部分地暴露。反射封装部分可以包括反射材料。

公开(公告)号：CN107316930B

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN201710275170.4

申请日：2017-04-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐钟完 ,  金镇夏 ,  禹光福 ,  李东勋 ,  李源晙 ,  黄善焕

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/50 ,  H01L33/58 ,  H01L33/60

Abstract: 一种半导体发光器件可以包括半导体发光二极管(LED)芯片、在LED芯片上的光透射膜以及在光透射膜与半导体LED芯片之间的光透射接合层。光透射膜和光透射接合层的至少之一可以包括波长转换材料，该波长转换材料配置为将由半导体LED芯片发射的光转换成具有与所发射的光的波长不同的波长的光。光透射接合层可以具有延伸到侧表面以形成倾斜面的侧面倾斜区域。半导体发光器件还可以包括反射封装部分，该反射封装部分围绕光透射接合层，覆盖第一表面使得LED芯片的电极被至少部分地暴露。反射封装部分可以包括反射材料。