公开(公告)号：CN115881651A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211175941.X

申请日：2022-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权洞煜 ,  明宇蓝 ,  申志源 ,  崔弼盛

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00

Abstract: 一种半导体封装件包括下基板，下基板具有芯片安装区域、围绕芯片安装区域的互连区域和围绕互连区域的外部区域，并且包括下布线层。第一阻焊图案具有暴露下布线层的接合区域的第一开口。半导体芯片位于芯片安装区域上并且与下布线层电连接。第二阻焊图案在互连区域和外部区域上位于第一阻焊图案上并且与半导体芯片间隔开，并且包括设置在第一开口上的第二开口。上基板覆盖半导体芯片，并且包括上布线层。垂直连接结构位于互连区域上，并且将上布线层和下布线层电连接。阻焊间隔物在外部区域上位于第二阻焊图案上。

公开(公告)号：CN115831908A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211073382.1

申请日：2022-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金瑾雨 ,  申志源 ,  权洞煜 ,  明宇蓝 ,  禹光福

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367

Abstract: 提供了用于半导体封装件的安装基板和半导体封装件。所述安装基板包括：具有彼此相对的上表面和下表面的基板，所述基板包括多个绝缘层和分别位于所述多个绝缘层中的布线；第一基板焊盘和第二基板焊盘，在所述安装基板的芯片安装区域中位于所述上表面上；吸热焊盘，在所述安装基板的与所述芯片安装区域相邻的外围区域中位于所述上表面上；以及位于所述基板中的连接线，所述连接线被配置为将所述吸热焊盘和所述第二基板焊盘彼此导热地结合。

公开(公告)号：CN114068446A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110776784.7

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申志源 ,  权洞煜 ,  禹光福 ,  池珉昇

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装件包括：彼此堆叠的第一子半导体装置、中间层和第二子半导体装置，以及覆盖第二子半导体装置的散热器。第一子半导体装置包括第一衬底和第一半导体芯片。中间层包括电介质层、与电介质层的底表面接触的导热层、与电介质层的顶表面接触的第一导热焊盘以及穿过电介质层以将导热层连接至第一导热焊盘的导热穿通件。导热层的底表面邻近于第一半导体芯片的顶表面并且连接至第一半导体芯片的顶表面。第二子半导体装置设置在电介质层上，而不与第一导热焊盘重叠。散热器还覆盖第一导热焊盘，以与第一导热焊盘连接。

公开(公告)号：CN110729209A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910617940.8

申请日：2019-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相勋 ,  申志源 ,  白亨吉 ,  郭旻根 ,  李种昊

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488

Abstract: 提供了用于接合半导体封装的方法、接合头以及半导体封装件，所述方法包括：将半导体芯片装载在衬底上，并通过使用接合工具将半导体芯片接合到衬底，所述接合工具包括用于按压半导体芯片的按压表面以及从按压表面的一侧延伸的倾斜表面。将半导体芯片接合到衬底包括：通过按压接合工具使设置在衬底和半导体芯片之间的接合剂变形，并且使接合剂变形包括：通过将接合剂的一部分突出超过半导体芯片来生成圆角，并以圆角的顶表面沿着所述倾斜表面生长的方式生长圆角。