公开(公告)号：CN114068446A

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN202110776784.7

申请日：2021-07-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 申志源 ,  权洞煜 ,  禹光福 ,  池珉昇

IPC: H01L23/367 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18

Abstract: 一种半导体封装件包括：彼此堆叠的第一子半导体装置、中间层和第二子半导体装置，以及覆盖第二子半导体装置的散热器。第一子半导体装置包括第一衬底和第一半导体芯片。中间层包括电介质层、与电介质层的底表面接触的导热层、与电介质层的顶表面接触的第一导热焊盘以及穿过电介质层以将导热层连接至第一导热焊盘的导热穿通件。导热层的底表面邻近于第一半导体芯片的顶表面并且连接至第一半导体芯片的顶表面。第二子半导体装置设置在电介质层上，而不与第一导热焊盘重叠。散热器还覆盖第一导热焊盘，以与第一导热焊盘连接。

公开(公告)号：CN118057610A

公开(公告)日：2024-05-21

申请号：CN202311547747.4

申请日：2023-11-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 池珉昇 ,  成河燮 ,  张爱妮

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538

Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：第一半导体芯片；芯片堆叠件，所述芯片堆叠件包括堆叠在所述第一半导体芯片上的多个第二半导体芯片；第一模制层，所述第一模制层与所述第一半导体芯片的上表面和所述芯片堆叠件的侧表面接触，并且暴露所述芯片堆叠件的上表面；接合层，所述接合层与所述第一模制层的上表面和所述芯片堆叠件的所述上表面接触；虚设半导体芯片，所述虚设半导体芯片位于所述接合层上；以及第二模制层，所述第二模制层位于所述虚设半导体芯片的至少一部分上并且位于所述接合层上，其中，所述芯片堆叠件的所述上表面具有波浪状形状，并且所述接合层的上表面是平坦的。