公开(公告)号：CN1256629C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN02108303.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  金经大 ,  全相文 ,  黄震虎 ,  孙一现 ,  朴相五 ,  田弼权

IPC: G03F7/42 ,  C11D7/32

CPC classification number: C11D1/526 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

Abstract: 一种抗蚀剂除去组合物，具有除去抗蚀剂、聚合物、有机金属聚合物和蚀刻副产品如金属氧化物的优异性能，该抗蚀剂除去组合物不侵蚀暴露于组合物中的下层并且在清洗后不留下残余物，该抗蚀剂除去组合物含烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和溶胀剂。

公开(公告)号：CN1206932A

公开(公告)日：1999-02-03

申请号：CN98101421.6

申请日：1998-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吉埈仍 ,  田弼权 ,  尹敏相 ,  尹永焕 ,  郭奎焕 ,  全相文

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  C11D7/60 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/02063

Abstract: 一种用于制造半导体器件的清洗组合物以及用它制造半导体器件的方法。这种清洗组合物包括由下列成分组成的混合物:0.01%～10%(重量)的HF、1%～10%(重量)的H2O2、0.01%～30%(重量)的IPA(异丙醇)、其余为H2O。

公开(公告)号：CN1215535C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN03101625.1

申请日：1998-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田渼淑 ,  李春得 ,  吉埈仍 ,  田弼权

IPC: H01L21/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C11D7/22

CPC classification number: G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：a.对半导体基片进行曝光和显影，以便选择性地去除半导体基片的指定膜上所淀积的光刻胶；b.对选择性去除光刻胶后给定膜的暴露部分进行蚀刻；c.用单乙醇胺和二甲亚砜的混合液将上述选择性去除光刻胶后剩留在半导体基片上的光刻胶全部去除。

公开(公告)号：CN1442888A

公开(公告)日：2003-09-17

申请号：CN03101625.1

申请日：1998-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田渼淑 ,  李春得 ,  吉埈仍 ,  田弼权

IPC: H01L21/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C11D7/22

CPC classification number: G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：a.对半导体基片进行曝光和显影，以便选择性地去除半导体基片的指定膜上所淀积的光刻胶；b.对选择性去除光刻胶后给定膜的暴露部分进行蚀刻；c.用单乙醇胺和二甲亚砜的混合液将上述选择性去除光刻胶后剩留在半导体基片上的光刻胶全部去除。

公开(公告)号：CN1118866C

公开(公告)日：2003-08-20

申请号：CN98117354.3

申请日：1998-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田渼淑 ,  李春得 ,  吉埈仍 ,  田弼权

IPC: H01L21/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C11D7/22 ,  C11D7/50

CPC classification number: G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：a.对半导体基片进行曝光和显影，以便选择性地去除半导体基片的指定膜上所淀积的光刻胶；b.对选择性去除光刻胶后给定膜的暴露部分进行蚀刻；c.用二甲基乙酰胺将上述选择性去除光刻胶后剩留在半导体基片上的光刻胶全部去除。

公开(公告)号：CN1407409A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02108303.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  金经大 ,  全相文 ,  黄震虎 ,  孙一现 ,  权相五 ,  田弼权

IPC: G03F7/26

CPC classification number: C11D1/526 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

Abstract: 一种抗蚀剂除去组合物，具有除去抗蚀剂、聚合物、有机金属聚合物和蚀刻副产品如金属氧化物的优异性能，该抗蚀剂除去组合物不侵蚀暴露于组合物中的下层并且在清洗后不留下残余物。该抗蚀剂除去组合物含烷氧基N－羟烷基链烷酰胺和溶胀剂。

公开(公告)号：CN1113395C

公开(公告)日：2003-07-02

申请号：CN98101421.6

申请日：1998-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吉埈仍 ,  田弼权 ,  尹敏相 ,  尹永焕 ,  郭奎焕 ,  全相文

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  C11D7/60 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/02063

Abstract: 一种用于制造半导体器件的清洗组合物以及用它制造半导体器件的方法。这种清洗组合物包括由下列成分组成的混合物：0.01%～10%(重量)的HF、1%～10%(重量)的H2O2、0.01%～30%(重量)的IPA(异丙醇)、其余为H2O。

公开(公告)号：CN1097091C

公开(公告)日：2002-12-25

申请号：CN97109669.4

申请日：1997-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全相文 ,  李富燮 ,  金成日 ,  吉埈仍 ,  田弼权 ,  田美淑

IPC: C11D7/50 ,  G03F7/42

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/422

Abstract: 在制造半导体过程中的清洗剂制品的包括乳酸乙酯(EL)和3-乙氧基丙酸乙酯(EEP)，最好，它还包括γ-丁内酯。因此，晶片边缘或背侧的光刻胶能以足够快的速度有效地除去，因而可以提高半导体器件的成品率。另外，可完全除去的附着在表面上的残留光刻胶，以便能再利用该晶片，因而获得晶片的再利用和经济用途。

公开(公告)号：CN1218277A

公开(公告)日：1999-06-02

申请号：CN98117354.3

申请日：1998-08-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田渼淑 ,  李春得 ,  吉埈仍 ,  田弼权

IPC: H01L21/30 ,  G03F7/004 ,  G03F7/26 ,  C11D7/22 ,  C11D7/50

CPC classification number: G03F7/422 ,  G03F7/425

Abstract: 一种制造半导体器件的方法,包括下列步骤:a.对半导体基片进行曝光和显影,以便选择性地去除半导体基片的指定膜上所淀积的光刻胶;b.对选择性去除光刻胶后给定膜的暴露部分进行蚀刻;c.用二甲基乙酰胺将上述选择性去除光刻胶后剩留在半导体基片上的光刻胶全部去除。

公开(公告)号：CN1177631A

公开(公告)日：1998-04-01

申请号：CN97109669.4

申请日：1997-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全相文 ,  李富燮 ,  金成日 ,  峻仍 ,  田弼权 ,  田美淑

IPC: C11D7/50

CPC classification number: G03F7/168 ,  G03F7/422

Abstract: 在制造半导体过程中的清洗剂制品的包括乳酸乙酯(EL)和3－乙氧基丙酸乙酯(EEP),最好,它还包括γ－丁内酯。因此,晶片边缘或背侧的光刻胶能以足够快的速度有效地除去,因而可以提高半导体器件的成品率。另外,可完全除去的附着在表面上的残留光刻胶,以便能再利用该晶片,因而获得晶片的再利用和经济用途。