公开(公告)号：CN1256629C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN02108303.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  金经大 ,  全相文 ,  黄震虎 ,  孙一现 ,  朴相五 ,  田弼权

IPC: G03F7/42 ,  C11D7/32

CPC classification number: C11D1/526 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

Abstract: 一种抗蚀剂除去组合物，具有除去抗蚀剂、聚合物、有机金属聚合物和蚀刻副产品如金属氧化物的优异性能，该抗蚀剂除去组合物不侵蚀暴露于组合物中的下层并且在清洗后不留下残余物，该抗蚀剂除去组合物含烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和溶胀剂。

公开(公告)号：CN1243971A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN99111965.7

申请日：1999-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  黄震虎 ,  吉俊仍 ,  朴济应 ,  全相文

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物,其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能,其不会对底层产生侵蚀,本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基N－羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物,包含烷氧基N－羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。

公开(公告)号：CN1407409A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02108303.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  金经大 ,  全相文 ,  黄震虎 ,  孙一现 ,  权相五 ,  田弼权

IPC: G03F7/26

CPC classification number: C11D1/526 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

Abstract: 一种抗蚀剂除去组合物，具有除去抗蚀剂、聚合物、有机金属聚合物和蚀刻副产品如金属氧化物的优异性能，该抗蚀剂除去组合物不侵蚀暴露于组合物中的下层并且在清洗后不留下残余物。该抗蚀剂除去组合物含烷氧基N－羟烷基链烷酰胺和溶胀剂。

公开(公告)号：CN1243823A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN98123846.7

申请日：1998-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  黄震虎 ,  吉俊仍 ,  朴济应 ,  全相文

IPC: C07C231/00

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 一种酰胺化合物、一种抗蚀剂脱除剂、一种抗蚀剂脱除组合物及其制备方法。该化合物为N链烷醇烷氧基烷酰胺,它通过链烷醇胺与烷基烷氧基链烷酸酯反应来制备。所述的抗蚀剂脱除剂含有N链烷醇烷氧基烷酰胺。所述的抗蚀剂脱除组合物含有链烷醇胺与烷基烷氧基链烷酸酯的混合物或浸蚀抑制剂与N链烷醇烷氧基烷酰胺的混合物。该组合物还可含有极性材料。该抗蚀剂脱除剂和组合物对从基材上脱除抗蚀剂和聚合物有极好的能力,而又不浸蚀抗蚀剂下面的层。

公开(公告)号：CN1249530C

公开(公告)日：2006-04-05

申请号：CN99111965.7

申请日：1999-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  黄震虎 ,  吉俊仍 ,  朴济应 ,  全相文

IPC: G03F7/42

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 本发明公开了一种抗蚀剂脱除剂和一种脱除抗蚀剂的组合物，其具有优异的抗蚀剂和聚合物脱除性能，其不会对底层产生侵蚀，本发明还公开了所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物的制备方法和采用所述抗蚀剂脱除剂和脱除抗蚀剂的组合物脱除抗蚀剂的方法。所述抗蚀剂脱除剂包含烷氧基N-羟基烷基链酰胺。所述抗蚀剂脱除组合物，包含烷氧基N-羟基烷基链烷酰胺和至少一种偶极矩为3或大于3的极性材料和一种侵蚀抑制剂以及一种链烷醇胺。在其上具有抗蚀剂的基质与所述的抗蚀剂脱除剂或抗蚀剂脱除组合物可脱除抗蚀剂。

公开(公告)号：CN1244029A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN98123847.5

申请日：1998-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  黄震虎 ,  吉俊仍 ,  朴济应 ,  全相文

IPC: H01L21/02

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 一种抗蚀剂脱除方法和使用这种方法的抗蚀剂脱除设备。抗蚀剂脱除方法包括提供一种基材以及在该基材上形成抗蚀剂。然后将基材与含有N链烷醇烷氧基烷酰胺的抗蚀剂脱除剂接触,以便从基材上脱除抗蚀剂。另一方面,将基材与含有N链烷醇烷氧基烷酰胺和浸蚀抑制剂或者链烷醇胺和烷基烷氧基链烷酸酯的抗蚀剂脱除组合物接触。因为可用简单的方法在短时间内脱除抗蚀剂,以及因为可减小抗蚀剂脱除设备的尺寸,所以可提高半导体元件制造设备的生产率。