公开(公告)号：CN1211708C

公开(公告)日：2005-07-20

申请号：CN00118160.2

申请日：2000-03-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金永虎 ,  郑会式 ,  全相文 ,  李富燮

IPC: G03F7/023

CPC classification number: G03F7/0236

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的感光度和分辨率的正性光刻胶组合物，该组合物的制备方法，以及在半导体工艺中使用该组合物形成图纹的方法。该光刻胶组合物包括：(i)由用分子式(1)表示的第一种感光化合物和用分子式(2a)或(2b)表示的第二种感光化合物混合得到的感光物质；(ii)树脂；和(iii)溶剂。由于该光刻胶组合物的高感光度和高分辨率，本发明可以制作具有特别优异轮廓的图纹。

公开(公告)号：CN1407409A

公开(公告)日：2003-04-02

申请号：CN02108303.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  金经大 ,  全相文 ,  黄震虎 ,  孙一现 ,  权相五 ,  田弼权

IPC: G03F7/26

CPC classification number: C11D1/526 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

Abstract: 一种抗蚀剂除去组合物，具有除去抗蚀剂、聚合物、有机金属聚合物和蚀刻副产品如金属氧化物的优异性能，该抗蚀剂除去组合物不侵蚀暴露于组合物中的下层并且在清洗后不留下残余物。该抗蚀剂除去组合物含烷氧基N－羟烷基链烷酰胺和溶胀剂。

公开(公告)号：CN1243823A

公开(公告)日：2000-02-09

申请号：CN98123846.7

申请日：1998-11-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  黄震虎 ,  吉俊仍 ,  朴济应 ,  全相文

IPC: C07C231/00

CPC classification number: G03F7/425

Abstract: 一种酰胺化合物、一种抗蚀剂脱除剂、一种抗蚀剂脱除组合物及其制备方法。该化合物为N链烷醇烷氧基烷酰胺,它通过链烷醇胺与烷基烷氧基链烷酸酯反应来制备。所述的抗蚀剂脱除剂含有N链烷醇烷氧基烷酰胺。所述的抗蚀剂脱除组合物含有链烷醇胺与烷基烷氧基链烷酸酯的混合物或浸蚀抑制剂与N链烷醇烷氧基烷酰胺的混合物。该组合物还可含有极性材料。该抗蚀剂脱除剂和组合物对从基材上脱除抗蚀剂和聚合物有极好的能力,而又不浸蚀抗蚀剂下面的层。

公开(公告)号：CN1218986A

公开(公告)日：1999-06-09

申请号：CN98117482.5

申请日：1998-09-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭奎焕 ,  李辉健 ,  崔百洵 ,  金镇成 ,  全相文

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/32137

Abstract: 本发明提供一种多晶硅腐蚀方法和腐蚀装置。所述方法包括步骤:a)把在确定层上具有多晶硅膜的晶片送入处理室;b)在预定范围内调节处理室的气压和温度;c)把包括卤素化合物的腐蚀气体送入处理室中并腐蚀多晶硅膜。所述装置包括:腐蚀气体供应源,周期的与腐蚀气体供应源相连并具有温度控制装置的处理室;和与处理室相连并用于控制处理室的气压状态的高真空管线。

公开(公告)号：CN1311009C

公开(公告)日：2007-04-18

申请号：CN02814368.X

申请日：2002-11-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金男寿 ,  林永 ,  姜景汶 ,  李东峻 ,  全相文 ,  李世哲 ,  苏在贤

IPC: C08J5/14 ,  C08L101/00 ,  C09G1/16

CPC classification number: H01L21/31053 ,  C08L101/02 ,  C09G1/02

Abstract: 一种用于淤浆的添加剂组合物，包括含具有第一重均分子量的第一聚合酸和第一碱性材料的第一聚合酸盐；和含具有第二重均分子量的第二聚合酸和第二碱性材料的第二聚合酸盐。通过混合添加剂组合物、抛光粒子组合物和水制备淤浆组合物。当使用该淤浆组合物进行化学机械抛光时，可实现有利的抛光选择性。

公开(公告)号：CN1497680A

公开(公告)日：2004-05-19

申请号：CN03155614.0

申请日：2003-08-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金已晶 ,  全相文 ,  金祐奭 ,  许太列

IPC: H01L21/304 ,  H01L29/06 ,  C30B33/00

CPC classification number: H01L21/02021 ,  Y10T428/12674

Abstract: 本发明涉及具有不对称边缘轮廓的半导体晶片及其制造方法。半导体晶片利用不对称边缘轮廓(EP)以便获得半导体器件加工的较高合格率。构造这些边缘轮廓以减少薄膜残余物的量，该薄膜残余物可能形成在半导体晶片的上表面上并靠近其周围边缘的位置处。还构造这些边缘轮廓以在半导体加工步骤期间抑制在晶片上表面上再淀积残存颗粒。该制造方法包括：将半导体结晶体切成具有上表面和下表面的至少一个半导体晶片；以及研磨该至少一个半导体晶片的周围边缘，以定义在内边缘轮廓(EPin)和外边缘轮廓(EPout)之间延伸的不对称边缘轮廓(EP)。

公开(公告)号：CN1322009A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN00134841.8

申请日：2000-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李祯浩 ,  崔晶植 ,  金弘基 ,  李东峻 ,  姜大源 ,  全相文

IPC: H01L21/316 ,  C08G77/62

Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为－(SiH2NH)n－的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物,通式中n表示一个正整,其重均分子量在约4,000－8,000范围,分子量分布在约3.0－4.0的范围,以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化,将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。

公开(公告)号：CN1206932A

公开(公告)日：1999-02-03

申请号：CN98101421.6

申请日：1998-04-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吉埈仍 ,  田弼权 ,  尹敏相 ,  尹永焕 ,  郭奎焕 ,  全相文

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/304 ,  C11D7/60 ,  C23F1/14

CPC classification number: H01L21/02071 ,  H01L21/02063

Abstract: 一种用于制造半导体器件的清洗组合物以及用它制造半导体器件的方法。这种清洗组合物包括由下列成分组成的混合物:0.01%～10%(重量)的HF、1%～10%(重量)的H2O2、0.01%～30%(重量)的IPA(异丙醇)、其余为H2O。

公开(公告)号：CN1256629C

公开(公告)日：2006-05-17

申请号：CN02108303.7

申请日：2002-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴东镇 ,  金经大 ,  全相文 ,  黄震虎 ,  孙一现 ,  朴相五 ,  田弼权

IPC: G03F7/42 ,  C11D7/32

CPC classification number: C11D1/526 ,  C11D11/0047 ,  G03F7/425

Abstract: 一种抗蚀剂除去组合物，具有除去抗蚀剂、聚合物、有机金属聚合物和蚀刻副产品如金属氧化物的优异性能，该抗蚀剂除去组合物不侵蚀暴露于组合物中的下层并且在清洗后不留下残余物，该抗蚀剂除去组合物含烷氧基N-羟烷基链烷酰胺和溶胀剂。

公开(公告)号：CN1655065A

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN200510009433.4

申请日：2005-02-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 安承铉 ,  裵恩美 ,  崔百洵 ,  全相文 ,  金大中 ,  尹广燮 ,  朴相圭 ,  金载昊 ,  李时镛 ,  金京美 ,  尹汝荣

IPC: G03F7/42

CPC classification number: C11D7/266 ,  C11D11/0047

Abstract: 一种稀释剂组分包括丙二醇醚乙酸酯、甲基2－羟基－2－丙酸甲酯和酯化合物如乳酸乙酯、乙基3－乙氧基丙酸酯或其混合物。