公开(公告)号：CN109726810A

公开(公告)日：2019-05-07

申请号：CN201810812094.0

申请日：2018-07-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈星辅

IPC: G06N3/08 ,  G06F17/50 ,  H01L21/66

Abstract: 提供了一种蚀刻效果预测方法和确定人工神经网络的输入参数的方法。该蚀刻效果预测方法包括：确定待预测蚀刻偏差的掩模图案的样本区域；确定表示对在样本区域中进行的蚀刻工艺有影响的物理特性的输入参数；对通过将输入参数输入到人工神经网络而获得的输出值与出现在样本区域中的蚀刻偏差的测量值进行比较；以及操作人工神经网络，直到输出值与测量值之间的差等于或小于预定参考值。

公开(公告)号：CN117170189A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310580168.3

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵祜得 ,  沈星辅 ,  裵亨钟 ,  黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种极紫外(EUV)光刻装置和操作EUV光刻装置的方法。所述操作极紫外(EUV)光刻装置的方法包括：定义目标图像以绘制照明系统；为与目标图像相对应的光瞳分面反射镜的分面的各位置分配优先级；使用线性编程根据所分配的优先级分配反射镜；通过基于对称性准则选择所述光瞳分面反射镜的所述分面中的一个分面，生成照明系统；以及将对应于所选择的分面的反射镜分配信息和光源地图信息转换为EUV扫描器可识别的形式。

公开(公告)号：CN116805583A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310297326.4

申请日：2023-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑范锡 ,  姜炯硕 ,  朴桂完 ,  沈星辅 ,  安翔铉 ,  张寅甲 ,  郑珉浩

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供测试半导体装置的方法、系统、以及非暂时性计算机可读介质。测试半导体装置的方法包括：获得通过测试晶圆生成的第一数据，每个晶圆包括多个芯片，该获得基于多个第一项；获得通过测试封装件生成的第二数据，每个封装件包括封装好的芯片，该获得基于多个第二项；基于第一数据和第二数据，检测多个第一项和多个第二项之间的相关性；基于相关性，识别影响封装件的变化的至少一个第一项；以及测试识别出的至少一个第一项。

公开(公告)号：CN117452763A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310912279.X

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵亨钟 ,  黄炫晶 ,  金熙范 ,  沈星辅 ,  李承润 ,  郑羽容 ,  黄灿

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/42

Abstract: 本公开提供了反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法。一种在EUV曝光工艺中使用的反射掩模包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案，并且抗反射图案包括在对准标记区域中具有预定线宽的线和间隔图案。