公开(公告)号：CN118263119A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202311387059.6

申请日：2023-10-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 任仁范 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: H01L21/3213 ,  H01L21/027 ,  H01L21/768

Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法。所述方法包括：通过曝光第一PR层的第一场区域来形成第一光刻胶(PR)图案，通过曝光第二PR层的第一顶部场区域和第一底部场区域来形成第二PR图案，测量第一顶部场区域的第一顶部场内叠加和第一底部场区域的第一底部场内叠加，以及分别基于第一顶部场内叠加和第一底部场内叠加来确定顶部场内校正参数和底部场内校正参数。

公开(公告)号：CN113552775A

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN202110243843.4

申请日：2021-03-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李斗珪 ,  李承润 ,  李汀镇 ,  黄灿

IPC: G03F7/20 ,  G03F9/00

Abstract: 提供EUV曝光装置、套刻校正方法和半导体器件制造方法。EUV曝光装置包括：EUV光源；第一光学系统，配置为将来自EUV光源的EUV光传输到EUV掩模；第二光学系统，配置为将从EUV掩模反射的EUV光传输到晶片；掩模平台；晶片平台；以及控制单元，配置为控制掩模平台和晶片平台，其中，基于第一套刻参数与第二套刻参数之间的相关性，第一套刻参数通过校正第二套刻参数来校正，该第一套刻参数是在晶片上的各层之间的套刻误差的参数中的一个，第二套刻参数是所述套刻误差的参数中的另一参数。

公开(公告)号：CN108873612A

公开(公告)日：2018-11-23

申请号：CN201810460915.9

申请日：2018-05-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承润 ,  黄灿

IPC: G03F7/20 ,  H01L21/027 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L22/12 ,  G03F1/144 ,  G03F7/705 ,  G03F7/70525 ,  G03F7/70633 ,  G03F9/7019 ,  G03F7/70616 ,  G03F7/70491 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/67253

Abstract: 一种校正重叠的方法，包括：在第一衬底上形成第一图案；在第一图案上形成第二图案；获得第二图案的第一重叠误差轮廓并从第一重叠误差轮廓获得第一重叠校正轮廓；在第二图案上形成第三图案；获得第三图案的第二重叠误差轮廓并从第二重叠误差轮廓获得第二重叠校正轮廓；以及在第二衬底上形成第二图案，其中在第二衬底上形成第二图案包括：确定第二重叠校正轮廓是否具有不可校正的模型参数；并且当第二重叠校正轮廓具有不可校正的模型参数时，获得初步校正轮廓以校正待在第二衬底上形成的第二图案的位置。

公开(公告)号：CN111077739B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN201910628673.4

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承润 ,  李斗珪 ,  张赞三

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了极紫外光(EUV)曝光装置和方法，以及通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法，其最小化EUV曝光工艺中由反射镜导致的误差以改进套刻误差。EUV曝光设备包括：EUV源，配置为生成和输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；激光源，配置为生成和输出激光束以用于加热；以及第二照明光学器件，配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。

公开(公告)号：CN111077739A

公开(公告)日：2020-04-28

申请号：CN201910628673.4

申请日：2019-07-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承润 ,  李斗珪 ,  张赞三

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了极紫外光(EUV)曝光装置和方法，以及通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法，其最小化EUV曝光工艺中由反射镜导致的误差以改进套刻误差。EUV曝光设备包括：EUV源，配置为生成和输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；激光源，配置为生成和输出激光束以用于加热；以及第二照明光学器件，配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。

公开(公告)号：CN117991595A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311340097.6

申请日：2023-10-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭旻哲 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种光刻方法。光刻系统包括光源、光掩模台、投影光学系统和晶片台，并且投影光学系统包括变形透镜。在该光刻方法中，晶片和光掩模被各自安装在晶片台和光掩模台上，并且使用所述光掩模来执行第一曝光工艺，以将光掩模中所包括的图案的布局转移到晶片的第一半场。改变光掩模相对于晶片的相对位置，并且执行第二曝光工艺，以将光掩模中所包括的图案的布局转移到晶片的第二半场。

公开(公告)号：CN117855075A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311280807.0

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭仁浩 ,  金真善 ,  李茂松 ,  李承润 ,  李汀镇 ,  黄灿 ,  朴道炫 ,  韩睿恩

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开一种重叠测量方法，在该重叠测量方法中，提供具有编程的重叠值的重叠标记。用电子束扫描重叠标记以获得电压对比图像。从电压对比图像数据获得根据重叠值而变化的缺陷函数。对缺陷函数执行自互相关以确定重叠。

公开(公告)号：CN117452763A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310912279.X

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵亨钟 ,  黄炫晶 ,  金熙范 ,  沈星辅 ,  李承润 ,  郑羽容 ,  黄灿

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/42

Abstract: 本公开提供了反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法。一种在EUV曝光工艺中使用的反射掩模包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案，并且抗反射图案包括在对准标记区域中具有预定线宽的线和间隔图案。

公开(公告)号：CN111007702A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910541162.9

申请日：2019-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李茂松 ,  李承润

IPC: G03F9/00

Abstract: 提供了曝光半导体结构的方法、设备及非暂时性计算机可读介质。可通过检测半导体晶圆结构上的对准标记来计算多个模型函数。可通过使用向模型函数的每个基函数分配不同权重的权重函数对模型函数进行组合来确定组合模型函数。因此，即使当对准标记或套准标记的不对称性对晶圆上的水平位置具有高度依赖性时，也确保了曝光工艺的可靠性。

公开(公告)号：CN1932676A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200610153634.6

申请日：2006-09-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹炯远 ,  李承润

IPC: G03G15/08 ,  G03G15/00

CPC classification number: G03G15/0812 ,  G03G2215/0634 ,  G03G2215/0872

Abstract: 显影单元包括具有墨粉入口的显影单元主体和安装在所述显影单元主体中的显影辊。用于进行馈送的墨粉馈送单元被设置用于将墨粉从所述墨粉入口馈送到所述显影辊。刮片与显影单元主体一体形成，用于控制供给到显影辊的墨粉的厚度。