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发明公开
极紫外光刻装置和操作极紫外光刻装置的方法审中-公开

公开(公告)号：CN117170189A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310580168.3

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵祜得 , 沈星辅 , 裵亨钟 , 黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种极紫外(EUV)光刻装置和操作EUV光刻装置的方法。所述操作极紫外(EUV)光刻装置的方法包括：定义目标图像以绘制照明系统；为与目标图像相对应的光瞳分面反射镜的分面的各位置分配优先级；使用线性编程根据所分配的优先级分配反射镜；通过基于对称性准则选择所述光瞳分面反射镜的所述分面中的一个分面，生成照明系统；以及将对应于所选择的分面的反射镜分配信息和光源地图信息转换为EUV扫描器可识别的形式。

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