公开(公告)号：CN117170189A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202310580168.3

申请日：2023-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵祜得 ,  沈星辅 ,  裵亨钟 ,  黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种极紫外(EUV)光刻装置和操作EUV光刻装置的方法。所述操作极紫外(EUV)光刻装置的方法包括：定义目标图像以绘制照明系统；为与目标图像相对应的光瞳分面反射镜的分面的各位置分配优先级；使用线性编程根据所分配的优先级分配反射镜；通过基于对称性准则选择所述光瞳分面反射镜的所述分面中的一个分面，生成照明系统；以及将对应于所选择的分面的反射镜分配信息和光源地图信息转换为EUV扫描器可识别的形式。

公开(公告)号：CN117452763A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310912279.X

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵亨钟 ,  黄炫晶 ,  金熙范 ,  沈星辅 ,  李承润 ,  郑羽容 ,  黄灿

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/42

Abstract: 本公开提供了反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法。一种在EUV曝光工艺中使用的反射掩模包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案，并且抗反射图案包括在对准标记区域中具有预定线宽的线和间隔图案。