公开(公告)号：CN118033984A

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202311459747.9

申请日：2023-11-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑羽容 ,  金岛辉 ,  金俊贤 ,  李汀镇 ,  李承润 ,  黄灿

IPC: G03F7/20

Abstract: 提供了一种用于有效校正由于晶片台退化引起的叠加的叠加校正方法，以及包括该叠加校正方法的曝光方法和半导体器件制造方法，其中该叠加校正方法包括：获取关于晶片的水准数据；将水准数据转换成叠加数据；通过照射尺寸分割将照射分割成子照射；从叠加数据提取针对每个子照射的模型；以及基于针对每个子照射的模型来校正曝光设备的叠加参数，其中以前馈方法将叠加参数的校正实时应用于晶片的曝光工艺。

公开(公告)号：CN117452763A

公开(公告)日：2024-01-26

申请号：CN202310912279.X

申请日：2023-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵亨钟 ,  黄炫晶 ,  金熙范 ,  沈星辅 ,  李承润 ,  郑羽容 ,  黄灿

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/22 ,  G03F1/26 ,  G03F1/46 ,  G03F1/42

Abstract: 本公开提供了反射掩模、极紫外相移掩模以及制造抗反射图案的方法。一种在EUV曝光工艺中使用的反射掩模包括掩模基板、在掩模基板上的反射层以及在反射层上的吸收层。反射掩模包括主区域、围绕主区域的带外区域以及在带外区域的周边之外的对准标记区域。对准标记区域中的吸收层包括对准标记和与对准标记相邻的抗反射图案，并且抗反射图案包括在对准标记区域中具有预定线宽的线和间隔图案。