公开(公告)号：CN116805583A

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202310297326.4

申请日：2023-03-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑范锡 ,  姜炯硕 ,  朴桂完 ,  沈星辅 ,  安翔铉 ,  张寅甲 ,  郑珉浩

IPC: H01L21/66

Abstract: 提供测试半导体装置的方法、系统、以及非暂时性计算机可读介质。测试半导体装置的方法包括：获得通过测试晶圆生成的第一数据，每个晶圆包括多个芯片，该获得基于多个第一项；获得通过测试封装件生成的第二数据，每个封装件包括封装好的芯片，该获得基于多个第二项；基于第一数据和第二数据，检测多个第一项和多个第二项之间的相关性；基于相关性，识别影响封装件的变化的至少一个第一项；以及测试识别出的至少一个第一项。

公开(公告)号：CN115810554A

公开(公告)日：2023-03-17

申请号：CN202211106140.8

申请日：2022-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 吉志镐 ,  卢泰永 ,  吴泰和 ,  郑范锡 ,  姜卜荣

IPC: H01L21/66

Abstract: 一种检测异常的方法包括：使用预定时段包括的多个时间点的不良品数据来计算参考不良率；使用所述参考不良率来计算与所述预定时段之后的检测时间点的不良品数据相对应的检测不良率和权重；基于将所述检测不良率乘以所述权重来计算异常指标；将所述异常指标与对应于用于稳定控制不良率的控制极限的指标进行比较；以及基于所述异常指标与对应于所述控制极限的所述指标的所述比较的结果，来检测所述检测时间点的所述不良品数据是否异常。