公开(公告)号：CN118198065A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311183833.1

申请日：2023-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗炯住 ,  宋宇彬 ,  梁辰旭 ,  尹喆珍 ,  原田佳尚

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；在所述有源图案上的沟道图案，所述沟道图案包括彼此间隔开并且垂直堆叠的多个半导体图案；连接到所述多个半导体图案的源极/漏极图案；穿过所述源极/漏极图案的贯通图案；在所述源极/漏极图案与所述贯通图案之间的金属半导体化合物层；在所述多个半导体图案上的栅电极，所述栅电极包括内部电极和外部电极，所述内部电极在所述多个半导体图案中的相邻半导体图案之间，所述外部电极在所述多个半导体图案中的最上面的半导体图案上；有源接触，所述有源接触在所述贯通图案上；以及在所述有源接触上的第一金属层，所述第一金属层包括电力布线和连接到所述有源接触的第一布线。

公开(公告)号：CN112310280A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010399732.8

申请日：2020-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白晙焕 ,  朴勇振 ,  梁辰旭 ,  吴圭焕 ,  郑智允

IPC: H01L45/00

Abstract: 提供了一种可变电阻存储器装置，所述可变电阻存储器装置包括：第一导线结构，在基底上具有位于其中的绝热线；可变电阻图案，接触第一导线结构的上表面；低电阻图案，接触可变电阻图案的上表面；选择结构，位于低电阻图案上；以及第二导线，位于选择结构上。

公开(公告)号：CN119584547A

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202411164885.9

申请日：2024-08-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵丙才 ,  梁辰旭 ,  高昇必 ,  金容才 ,  朴晙镐 ,  李吉镐

IPC: H10B61/00 ,  H10N50/10

Abstract: 一种半导体器件包括：基板，具有彼此相反的顶表面和底表面；栅极结构，在基板的顶表面上；多个源极/漏极图案，在基板的顶表面上并且在栅极结构的相反两侧；后侧导电线，在基板的底表面上并电连接到栅极结构和所述多个源极/漏极图案中的第一源极/漏极图案中的至少一个；以及磁隧道结图案，电连接到所述多个源极/漏极图案中的第二源极/漏极图案。

公开(公告)号：CN113948545A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202110788671.9

申请日：2021-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 梁辰旭 ,  吴圭焕 ,  白晙焕 ,  郑智允

IPC: H01L27/24

Abstract: 公开了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底；第一导线，位于基底上并沿平行于基底的上表面的第一方向延伸；第二导线，沿与第一方向相交的第二方向延伸；存储器单元，位于第一导线与第二导线之间，并且包括顺序地堆叠在第一导线上的下电极图案、数据存储元件、中间电极图案、开关元件和上电极图案；以及侧壁间隔件，位于存储器单元的侧表面上，其中，存储器单元的侧表面包括在开关元件的侧表面处的第一凹入部分，并且侧壁间隔件包括位于上电极图案的侧表面上的第一部分以及位于第一凹入部分上的第二部分，第二部分比第一部分厚。