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公开(公告)号：CN119031721A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410054394.2
申请日：2024-01-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体装置，包括：数据存储图案，其设置在衬底上，并且在与衬底的顶表面平行的第一方向和第二方向上彼此间隔开；第一单元导电线，其设置在数据存储图案上，在第一方向上延伸，并且在第二方向上彼此间隔开，第一单元导电线中的每一条连接到数据存储图案中的在第一方向上彼此间隔开的相应的数据存储图案；以及单元过孔接触件，其在第一单元导电线之间在第一方向上彼此间隔开。第一单元导电线之间的单元过孔接触件中的每一个可以在第二方向上延伸，并且可以连接到数据存储图案中的在第二方向上彼此间隔开的虚设数据存储图案。
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公开(公告)号：CN119173044A
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202410165213.3
申请日：2024-02-05
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件可以包括：下电介质层，其位于衬底上；数据存储图案，其位于所述下电介质层上并在第一方向和第二方向上彼此间隔开；单元电介质层，其位于所述下电介质层上并且位于所述数据存储图案上；空隙，其位于所述单元电介质层中并且位于所述数据存储图案中的数据存储图案之间；上导电接触，其分别位于所述数据存储图案上并在所述第一方向和所述第二方向上彼此间隔开；以及上导电线，其位于所述上导电接触上并且在所述第二方向上彼此间隔开并在所述第一方向上延伸。所述上导电线中的每一条上导电线可以电连接到所述上导电接触中的相应上导电接触。所述上导电接触中的相应上导电接触可以在所述第一方向上彼此间隔开。
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公开(公告)号：CN118804603A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410281000.7
申请日：2024-03-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B61/00
Abstract: 本发明提供了一种磁性存储器装置及制造该磁性存储器装置的方法。磁性存储器装置包括：衬底；下绝缘层，其位于衬底上；存储器单元，其包括顺序地堆叠在下绝缘层上的第一磁性图案、隧道势垒图案和第二磁性图案；以及再沉积插入层，其从存储器单元的侧面沿下绝缘层的上表面延伸，其中，再沉积插入层包括顺序地堆叠在下绝缘层上的再沉积绝缘层、混合层和再沉积副产物层，并且混合层包括在再沉积绝缘层中包括的材料和在再沉积副产物层中包括的材料二者。
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公开(公告)号：CN119584547A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411164885.9
申请日：2024-08-23
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件包括：基板，具有彼此相反的顶表面和底表面；栅极结构，在基板的顶表面上；多个源极/漏极图案，在基板的顶表面上并且在栅极结构的相反两侧；后侧导电线，在基板的底表面上并电连接到栅极结构和所述多个源极/漏极图案中的第一源极/漏极图案中的至少一个；以及磁隧道结图案，电连接到所述多个源极/漏极图案中的第二源极/漏极图案。
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