公开(公告)号：CN118198065A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311183833.1

申请日：2023-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗炯住 ,  宋宇彬 ,  梁辰旭 ,  尹喆珍 ,  原田佳尚

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；在所述有源图案上的沟道图案，所述沟道图案包括彼此间隔开并且垂直堆叠的多个半导体图案；连接到所述多个半导体图案的源极/漏极图案；穿过所述源极/漏极图案的贯通图案；在所述源极/漏极图案与所述贯通图案之间的金属半导体化合物层；在所述多个半导体图案上的栅电极，所述栅电极包括内部电极和外部电极，所述内部电极在所述多个半导体图案中的相邻半导体图案之间，所述外部电极在所述多个半导体图案中的最上面的半导体图案上；有源接触，所述有源接触在所述贯通图案上；以及在所述有源接触上的第一金属层，所述第一金属层包括电力布线和连接到所述有源接触的第一布线。

公开(公告)号：CN115528114A

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210730199.8

申请日：2022-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴星一 ,  朴宰贤 ,  崔道永 ,  原田佳尚 ,  河大元

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L29/49 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体装置包括：衬底；第一有源图案，其在衬底上，并且在第一方向上延伸；第二有源图案，其在第一方向上延伸，并且与衬底间隔开；栅电极，其在第二方向上延伸，并且包围第一有源图案和第二有源图案；以及高电介质膜，其在第一有源图案和第二有源图案与栅电极之间。栅电极包括：第一功函数调整膜和第二功函数调整膜，它们包围第一有源图案和第二有源图案上的高电介质膜；以及填充导电膜，其包围第一功函数调整膜和第二功函数调整膜。第一功函数调整膜和第二功函数调整膜包括第一功函数导电膜和第二功函数导电膜，它们中的每一个包括第一金属膜。第一功函数导电膜的第一金属膜的厚度大于第二功函数导电膜的第一金属膜的厚度。