公开(公告)号：CN118198065A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311183833.1

申请日：2023-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 罗炯住 ,  宋宇彬 ,  梁辰旭 ,  尹喆珍 ,  原田佳尚

IPC: H01L27/092

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，所述衬底包括有源图案；在所述有源图案上的沟道图案，所述沟道图案包括彼此间隔开并且垂直堆叠的多个半导体图案；连接到所述多个半导体图案的源极/漏极图案；穿过所述源极/漏极图案的贯通图案；在所述源极/漏极图案与所述贯通图案之间的金属半导体化合物层；在所述多个半导体图案上的栅电极，所述栅电极包括内部电极和外部电极，所述内部电极在所述多个半导体图案中的相邻半导体图案之间，所述外部电极在所述多个半导体图案中的最上面的半导体图案上；有源接触，所述有源接触在所述贯通图案上；以及在所述有源接触上的第一金属层，所述第一金属层包括电力布线和连接到所述有源接触的第一布线。

公开(公告)号：CN110970433A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910891256.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞尚旼 ,  金柱然 ,  罗炯住 ,  徐凤锡 ,  郑主护 ,  黄义澈 ,  李城门

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的有源图案相交；分离结构，其与有源图案相交并且在第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖栅电极的顶表面。分离结构的顶表面的水平高度高于栅极封盖图案的顶表面的水平高度。

公开(公告)号：CN110970433B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN201910891256.9

申请日：2019-09-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 俞尚旼 ,  金柱然 ,  罗炯住 ,  徐凤锡 ,  郑主护 ,  黄义澈 ,  李城门

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 提供了半导体器件。半导体器件包括：衬底，其包括有源图案；栅电极，其在第一方向上延伸并且与在第二方向上延伸的有源图案相交；分离结构，其与有源图案相交并且在第一方向上延伸；第一栅极介电图案，其设置在栅电极的侧表面上；第二栅极介电图案，其设置在分离结构的侧表面上；和栅极封盖图案，其覆盖栅电极的顶表面。分离结构的顶表面的水平高度高于栅极封盖图案的顶表面的水平高度。