公开(公告)号：CN1801476A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510126956.7

申请日：2005-11-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈愚锡 ,  林泳旭 ,  李重泫 ,  尹广燮 ,  金喆浩 ,  朴兑津

IPC: H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L28/91 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852

Abstract: 在制造电容器和半导体器件的方法中，在具有接触插塞的衬底上形成模制层。该模制层包括露出接触插塞的开口。在接触插塞、开口的内侧壁以及模制层上形成导电层。形成光致抗蚀剂图形，以基本填充该开口。通过部分去除导电层，形成圆柱形下电极。选择性地去除模制层，同时光致抗蚀剂图形防止破坏下电极、接触插塞和衬底。去除光致抗蚀剂图形，然后，在下电极上形成介质层和上电极。因为存在光致抗蚀剂图形，所以在选择性地去除模制层期间，可以有效防止破坏下电极和接触插塞。