公开(公告)号：CN1146071A

公开(公告)日：1997-03-26

申请号：CN96103946.9

申请日：1996-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李重泫 ,  文诚庸 ,  韩宇声 ,  孙昌镇

IPC: H01L21/30 ,  H01L21/28 ,  G03F7/00

CPC classification number: G03F1/26 ,  G03F1/32 ,  G03F1/36 ,  G03F7/70433

Abstract: 提供了一种用于形成精细图形的新方法。在掩模上，把低于分辨率限度的虚设线或虚设间隔加到主图形上去，该主图形用于确定将被曝光的目标的曝光区域。可以形成所希望的尺寸的精细图形，同时还改善了分辨率。

公开(公告)号：CN1621941A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：CN200410096351.3

申请日：2004-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金舜镐 ,  崔成云 ,  文诚庸 ,  朴珍洪

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G02B5/1871 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0938 ,  G02B27/46 ,  G03F1/50

Abstract: 一种用于利用构图辐射来构图集成电路器件的光掩模，包括：透明基板、辐射阻挡区图形、辐射阻挡区阵列和遮蔽元件阵列。透明基板具有第一和第二相对表面，而辐射阻挡区图形在透明基板的第一和/或第二表面中的至少一个上。此外，辐射阻挡区图形限定要被转移到集成电路基板上的图形。遮蔽元件阵列设置在第一与第二相对表面之间的透明基板内，其中遮蔽元件阵列的光透射特性与透明基板的相邻部分的不同。此外，穿过包含遮蔽元件阵列的透明基板部分的构图辐射的透射率大于近似20％。还公开了相关方法和系统。

公开(公告)号：CN100559269C

公开(公告)日：2009-11-11

申请号：CN200410096351.3

申请日：2004-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金舜镐 ,  崔成云 ,  文诚庸 ,  朴珍洪

IPC: G03F1/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G03F7/70191 ,  G02B5/1871 ,  G02B27/09 ,  G02B27/0927 ,  G02B27/0938 ,  G02B27/46 ,  G03F1/50

Abstract: 一种用于利用构图辐射来构图集成电路器件的光掩模，包括：透明基板、辐射阻挡区图形、辐射阻挡区阵列和遮蔽元件阵列。透明基板具有第一和第二相对表面，而辐射阻挡区图形在透明基板的第一和/或第二表面中的至少一个上。此外，辐射阻挡区图形限定要被转移到集成电路基板上的图形。遮蔽元件阵列设置在第一与第二相对表面之间的透明基板内，其中遮蔽元件阵列的光透射特性与透明基板的相邻部分的不同。此外，穿过包含遮蔽元件阵列的透明基板部分的构图辐射的透射率大于近似20%。还公开了相关方法和系统。