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公开(公告)号：CN119069367A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202410157438.4
申请日：2024-02-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/56 , H01L21/8238 , H01L21/768
Abstract: 一种用于制造半导体器件的方法可以包括：形成包括彼此相对的第一表面和第二表面的第一衬底；在第一表面上形成第一半导体元件；将第一衬底粘附到第二衬底上，使得第二衬底的上表面面向第一衬底的第一表面；去除第一衬底的边缘区域；形成围绕第一衬底的第一侧面的钝化层；以及在第一衬底的第二表面上形成第二半导体元件。钝化层可以不形成在第一衬底的第二表面上。
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公开(公告)号：CN1507034A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310120429.6
申请日：2003-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76895 , H01L27/10855 , H01L27/10894 , H01L28/91 , Y10S438/942
Abstract: 提供制造具有接触体的半导体器件的方法，接触体在位线方向延伸，以增加接触体和存储电极之间的接触面积。在一个方面，方法包括在半导体衬底上形成栅极线，形成覆盖栅极线的第一绝缘层，形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，通过贯穿第一绝缘层电连接到栅极线之间的半导体衬底。而且，形成覆盖第一接触焊盘和第二接触焊盘的第二绝缘层，形成跨越栅极线的位线并通过贯穿第二绝缘层电连接到第二接触焊盘。此外，形成覆盖位线的第三绝缘层，并有选择地刻蚀，以形成与位线交叉并露出第一接触焊盘的带型开口。
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公开(公告)号：CN118841395A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202311547973.2
申请日：2023-11-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L23/544 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种示例半导体器件包括：衬底，所述衬底包括逻辑单元区域和键区域；虚设有源图案，所述虚设有源图案位于所述键区域上；以及键图案，所述键图案位于所述虚设有源图案中。所述键图案包括在所述衬底的上部处凹陷的键单元。所述键单元包括：低于所述虚设有源图案的顶表面的底表面；以及围绕所述底表面的多个内侧表面。所述内侧表面包括第一内侧表面和与所述第一内侧表面相对的第二内侧表面。所述第二内侧表面的硅原子表面密度与所述第一内侧表面的硅原子表面密度之比率在大约0.9至大约1.1的范围内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114823321A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202111177880.6
申请日：2021-10-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/8238 , H01L27/092
Abstract: 提供了半导体器件以及制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：包括第一区域和在第一方向上与第一区域相邻的第二区域的衬底；相邻地设置在衬底上并且包括在第一方向上延伸的第一有源图案和与第一有源图案平行地延伸的第二有源图案的成对的有源图案；位于第一区域上并且在与第一方向相交的第二方向上延伸跨越第一有源图案和第二有源图案的第一栅电极；以及位于第二区域上并且在第二方向上延伸跨越第一有源图案和第二有源图案的第二栅电极。第一有源图案在第一区域上的宽度大于在第二区域上的宽度，第二有源图案在第一区域上的宽度大于在第二区域上的宽度，并且从第一区域到第二区域，第一有源图案与第二有源图案之间的间隔是恒定的。
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公开(公告)号：CN114725062A
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202111217091.0
申请日：2021-10-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/528 , H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L21/768
Abstract: 一种半导体器件，所述半导体器件包括位于衬底上的逻辑单元和位于所述逻辑单元上的第一金属层。所述第一金属层包括：在第一方向上延伸的第一电力线与第二电力线，以及分别布置在限定在所述第一电力线与所述第二电力线之间的第一互连轨道、第二互连轨道和第三互连轨道上的第一下互连线、第二下互连线和第三下互连线。所述第一下互连线包括彼此间隔开第一距离的第一互连线和第二互连线，并且所述第三下互连线包括彼此间隔开第二距离的第三互连线和第四互连线。所述第一互连线具有面向所述第二互连线的第一端，并且所述第三互连线具有面向所述第四互连线的第二端，所述第一端和所述第二端具有不同的曲率。
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公开(公告)号：CN103676496B
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201310314179.3
申请日：2013-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2006 , G03F7/20 , G03F7/70025 , G03F7/70916 , H05G2/003 , H05G2/006 , H05G2/008
Abstract: 提供了一种用于生成EUV光的设备，所述设备可以包括微滴供应单元、激光照射单元、聚光单元和引导单元。微滴供应单元可以供应可以由其生成EUV光的微滴。激光照射单元可以将激光照射到由微滴供应单元供应的微滴以生成EUV光。聚光单元可以使通过激光照射单元生成的EUV光聚集。引导单元可以将微滴引导到激光可以照射到的位置。引导单元可以具有用于将气体喷射到微滴供应单元与激光照射位置之间的空间以形成被构造成围绕微滴的气幕的至少一个气体喷射孔。
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公开(公告)号：CN103676496A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310314179.3
申请日：2013-07-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/2006 , G03F7/20 , G03F7/70025 , G03F7/70916 , H05G2/003 , H05G2/006 , H05G2/008
Abstract: 提供了一种用于生成EUV光的设备，所述设备可以包括微滴供应单元、激光照射单元、聚光单元和引导单元。微滴供应单元可以供应可以由其生成EUV光的微滴。激光照射单元可以将激光照射到由微滴供应单元供应的微滴以生成EUV光。聚光单元可以使通过激光照射单元生成的EUV光聚集。引导单元可以将微滴引导到激光可以照射到的位置。引导单元可以具有用于将气体喷射到微滴供应单元与激光照射位置之间的空间以形成被构造成围绕微滴的气幕的至少一个气体喷射孔。
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公开(公告)号：CN100394584C
公开(公告)日：2008-06-11
申请号：CN200310120429.6
申请日：2003-12-10
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/8242 , H01L21/768 , H01L21/28
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/76895 , H01L27/10855 , H01L27/10894 , H01L28/91 , Y10S438/942
Abstract: 提供制造具有接触体的半导体器件的方法，接触体在位线方向延伸，以增加接触体和存储电极之间的接触面积。在一个方面，方法包括在半导体衬底上形成栅极线，形成覆盖栅极线的第一绝缘层，形成第一接触焊盘和第二接触焊盘，通过贯穿第一绝缘层电连接到栅极线之间的半导体衬底。而且，形成覆盖第一接触焊盘和第二接触焊盘的第二绝缘层，形成跨越栅极线的位线并通过贯穿第二绝缘层电连接到第二接触焊盘。此外，形成覆盖位线的第三绝缘层，并有选择地刻蚀，以形成与位线交叉并露出第一接触焊盘的带型开口。
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