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公开(公告)号：CN104137282B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201280070771.7
申请日：2012-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B32/184 , H01L35/16 , H01L35/32 , H01L35/34 , Y02P20/133
Abstract: 一种异质层叠包括：石墨烯；和设置在石墨烯上的热电无机化合物。
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公开(公告)号：CN101314470B
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN200810107802.7
申请日：2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/00 , H01L21/28
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , H01L51/0021 , H01L51/0049 , H01L51/444 , H01L51/5206 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极。本发明提供了一种掺杂碳纳米管的方法、利用该方法制备的p-掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。具体来讲，提供了一种通过利用氧化剂对碳纳米管改性来掺杂具有提高的导电性的碳纳米管的方法、利用该方法制备的被掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101314470A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200810107802.7
申请日：2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/00 , H01L21/28
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , H01L51/0021 , H01L51/0049 , H01L51/444 , H01L51/5206 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极。本发明提供了一种掺杂碳纳米管的方法、利用该方法制备的p－掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。具体来讲，提供了一种通过利用氧化剂对碳纳米管改性来掺杂具有提高的导电性的碳纳米管的方法、利用该方法制备的被掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。
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公开(公告)号：CN1644493A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410081780.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/22 , C01P2006/40 , Y10S977/745 , Y10S977/748 , Y10S977/75 , Y10S977/789
Abstract: 本发明提供了一种半导电碳纳米管的分离方法，它包括：将碳纳米管与硝酸和硫酸的混合酸溶液混合，获得碳纳米管分散体；对碳纳米管分散体进行搅拌；对碳纳米管分散体进行过滤；以及加热过滤后的碳纳米管，以除掉官能团。
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公开(公告)号：CN1193430C
公开(公告)日：2005-03-16
申请号：CN01122021.X
申请日：2001-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , H01L51/057 , Y10S977/708 , Y10S977/723 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/938
Abstract: 提供使用碳纳米管能够实现高密度集成，即万亿比特规模集成的竖直纳米尺寸晶体管，及其制造方法。在使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管中，具有几个纳米直径的孔形成在诸如间隔几个纳米的矾土的绝缘层中，以通过CVD，电泳或机械压缩，在纳米尺寸的孔中竖直排列碳纳米管，以用作沟道。而且，使用普通半导体制造方法，在碳纳米管附近形成栅，然后源和漏形成在每个碳纳米管的上下部分，从而制做出具有电子开关特征的竖直纳米尺寸晶体管。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1459815A
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：CN03145424.0
申请日：2003-05-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/168 , C01B32/174 , C01B2202/22 , H01L51/0048 , H01L51/0512
Abstract: 提供了一种氢改性的半导体碳纳米管及其制备方法。加氢改性的半导体碳纳米管具有存在于碳原子与氢原子间的化学键。制备半导体碳纳米管的方法包括：在真空下加热碳纳米管；把氢气中的氢分子分解成氢原子；把碳纳米管暴露于氢气中，使碳纳米管的碳原子与氢原子间形成化学键。使用该方法，可以使得金属碳纳米管转化为半导体碳纳米管和使得较窄能量带隙的半导体碳纳米管转化为较宽能量带隙的半导体碳纳米管。加氢改性的半导体碳纳米管可以用于例如电子器件，光电器件，能量储存器件等。
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公开(公告)号：CN1330412A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01122021.X
申请日：2001-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , H01L51/057 , Y10S977/708 , Y10S977/723 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/938
Abstract: 提供使用碳纳米管能够实现高密度集成,即万亿比特规模集成的竖直纳米尺寸晶体管,及其制造方法。在使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管中,具有几个纳米直径的孔形成在诸如间隔几个纳米的矾土的绝缘层中,以通过CVD,电泳或机械压缩,在纳米尺寸的孔中竖直排列碳纳米管,以用作沟道。而且,使用普通半导体制造方法,在碳纳米管附近形成栅,然后源和漏形成在每个碳纳米管的上下部分,从而制做出具有电子开关特征的竖直纳米尺寸晶体管。
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公开(公告)号：CN104137282A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201280070771.7
申请日：2012-12-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L35/22 , C01B32/184 , H01L35/16 , H01L35/32 , H01L35/34 , Y02P20/133
Abstract: 一种异质层叠包括：石墨烯；和设置在石墨烯上的热电无机化合物。
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公开(公告)号：CN101658817A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910166602.3
申请日：2009-08-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B03C3/40
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/174
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米管板的制造方法。该方法包括将碳纳米管添加到硝酸和硫酸的混合溶液中，用微波对碳纳米管溶液进行表面处理，以促进表面处理，使碳纳米管溶液经历超声波以分散碳纳米管，以增加分散效果，过滤碳纳米管溶液，干燥碳纳米管，以得到碳纳米管板模。
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公开(公告)号：CN100560481C
公开(公告)日：2009-11-18
申请号：CN200410081780.3
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/172 , C01B2202/22 , C01P2006/40 , Y10S977/745 , Y10S977/748 , Y10S977/75 , Y10S977/789
Abstract: 本发明提供了一种半导电碳纳米管的分离方法，它包括：将碳纳米管与硝酸和硫酸的混合酸溶液混合，获得碳纳米管分散体；对碳纳米管分散体进行搅拌；对碳纳米管分散体进行过滤；以及加热过滤后的碳纳米管，以除掉官能团。
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