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公开(公告)号:CN101314470A
公开(公告)日:2008-12-03
申请号:CN200810107802.7
申请日:2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/00 , H01L21/28
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , H01L51/0021 , H01L51/0049 , H01L51/444 , H01L51/5206 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极。本发明提供了一种掺杂碳纳米管的方法、利用该方法制备的p-掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。具体来讲,提供了一种通过利用氧化剂对碳纳米管改性来掺杂具有提高的导电性的碳纳米管的方法、利用该方法制备的被掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。
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公开(公告)号:CN101314470B
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN200810107802.7
申请日:2008-05-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C01B31/02 , H01L29/786 , H01L29/43 , H01L21/00 , H01L21/28
CPC classification number: H01L51/002 , B82Y10/00 , H01L51/0021 , H01L51/0049 , H01L51/444 , H01L51/5206 , Y02E10/542 , Y02E10/549
Abstract: 本发明公开了一种导电性提高的碳纳米管、其制备工艺及包含其的电极。本发明提供了一种掺杂碳纳米管的方法、利用该方法制备的p-掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。具体来讲,提供了一种通过利用氧化剂对碳纳米管改性来掺杂具有提高的导电性的碳纳米管的方法、利用该方法制备的被掺杂的碳纳米管、包含所述碳纳米管的电极、显示装置或太阳能电池。
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公开(公告)号:CN101020386B
公开(公告)日:2010-04-14
申请号:CN200610143996.7
申请日:2006-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B41J29/393
Abstract: 本发明提供了一种墨滴的均一化方法,用于确保从喷墨头喷嘴喷出的墨量的一致。所述均一化方法包括:将预定数量的墨滴从喷嘴喷射到像素中,同时改变施加到所述喷嘴的电压;测量在像素中形成的墨层的平均厚度;以及设定所述墨层的目标厚度,并向每个喷嘴施加与所述目标厚度相应的电压。
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公开(公告)号:CN101013219B
公开(公告)日:2011-07-27
申请号:CN200610148645.5
申请日:2006-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G03F7/20 , G02B5/23
Abstract: 根据本发明提供了一种制备滤色器的黑矩阵的方法,其包括:在透明基板的表面上形成憎水有机材料的光遮挡层;通过构图光遮挡层形成了黑矩阵;在黑矩阵的顶表面上形成阻挡层;以及加热形成有阻挡层的黑矩阵,并使用紫外光照射黑矩阵的上部分。
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公开(公告)号:CN101020386A
公开(公告)日:2007-08-22
申请号:CN200610143996.7
申请日:2006-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B41J29/393
Abstract: 本发明提供了一种墨滴的均一化方法,用于确保从喷墨头喷嘴喷出的墨量的一致。所述均一化方法包括:将预定数量的墨滴从喷嘴喷射到像素中,同时改变施加到所述喷嘴的电压;测量在像素中形成的墨层的平均厚度;以及设定所述墨层的目标厚度,并向每个喷嘴施加与所述目标厚度相应的电压。
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公开(公告)号:CN101013219A
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200610148645.5
申请日:2006-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G02F1/1335 , G03F7/20 , G02B5/23
Abstract: 根据本发明提供了一种制备滤色器的黑矩阵的方法,其包括:在透明基板的表面上形成憎水有机材料的光遮挡层;通过构图光遮挡层形成了黑矩阵;在黑矩阵的顶表面上形成阻挡层;以及加热形成有阻挡层的黑矩阵,并使用紫外光照射黑矩阵的上部分。
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