公开(公告)号：CN100376031C

公开(公告)日：2008-03-19

申请号：CN200410002585.7

申请日：2004-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳远壹 ,  李兆远 ,  尹世煜 ,  金桢雨

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供一种硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)存储器件及其制造方法。该SONOS存储器件包括半导体衬底、淀积在半导体衬底上的绝缘层、形成在绝缘层的预定区域并且被分为源区、漏区和沟道区的有源层、形成在沟道区一侧的第一侧栅叠层和形成在第一侧栅叠层相对侧的第二侧栅叠层。由于在每个SONOS存储器件中至少存储两位数据，因此相对于包含在SONOS存储器件中的存储节点的布局，与常规的SONOS存储器件相比，可以将半导体存储器件的集成密度提高1.5-2倍。

公开(公告)号：CN1638130A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200510003961.9

申请日：2005-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡熙顺 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78615 ,  H01L29/792

Abstract: 为了存储器的稳定性和更高的运行速度，本发明提供一种半导体存储器及其制造方法。该存储器包括：在半导体基板上形成的一栅极叠层结构；通过掺杂导电杂质，在栅极叠层结构每边的旁边和半导体基板上形成第一和第二杂质区，第一和第二杂质区之间具有沟道区域；以及在第一或第二杂质区旁边的半导体区域上形成一接触层。

公开(公告)号：CN1585132A

公开(公告)日：2005-02-23

申请号：CN200410079460.4

申请日：2004-06-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金桢雨 ,  李兆远 ,  金汶庆

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/14

CPC classification number: H01L29/792 ,  G11C16/0466

Abstract: 本发明公开了一种SONOS存储器件及从其中擦除数据的方法。通过穿过隧道氧化膜能垒将热空穴注入到氮化膜中而擦除数据。所述热空穴通过形成于至少与一条位线接触的第一和第二电极中之一和与字线接触的栅电极之间的强电场而产生。该擦除方法提高了擦除速度，因此改进了SONOS存储器件的性能。

公开(公告)号：CN1118915A

公开(公告)日：1996-03-20

申请号：CN95109191.3

申请日：1995-07-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴永洙 ,  金相准 ,  金圣薰 ,  李兆远

IPC: G11B5/127

CPC classification number: G11B5/255 ,  G11B5/1871 ,  G11B5/455 ,  G11B5/53 ,  G11B33/10 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49055 ,  Y10T29/49057

Abstract: 一种用于制造磁头的方法，该磁头用于在或从磁记录介质，例如录像带上记录或重放信息，该方法包括，制备具有同磁带相接触的一接触面的一片磁芯，该磁芯有一用于形成泄漏磁场的间隙，利用离子蚀刻方法对该片磁芯的接触面进行抛光，该离子蚀刻即是用离子碰撞该接触面。在接触面上形成保护层，该保护层是由具有高度表面润滑特性和良好的抗磨损特性的材料制成。用上述方法，磁头污染降低，磁头寿命延长和磁记录和重放特能得到改进。

公开(公告)号：CN1776914A

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN200510084792.6

申请日：2005-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金汶庆 ,  李兆远 ,  金桢雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: G11C16/0475 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供了多位非易失性存储器件及其操作方法和制造方法。存储器件包括形成在半导体衬底内的沟道区及与沟道区形成肖特基接触的源极和漏极。而且，中心栅极电极位于沟道区的一部分上，且第一和第二侧壁栅极电极沿着中心栅极电极的外侧形成在沟道区上。第一和第二存储节点形成在沟道区和侧壁栅极电极之间。

公开(公告)号：CN1193430C

公开(公告)日：2005-03-16

申请号：CN01122021.X

申请日：2001-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  李兆远 ,  李永熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/17 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/057 ,  Y10S977/708 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/938

Abstract: 提供使用碳纳米管能够实现高密度集成，即万亿比特规模集成的竖直纳米尺寸晶体管，及其制造方法。在使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管中，具有几个纳米直径的孔形成在诸如间隔几个纳米的矾土的绝缘层中，以通过CVD，电泳或机械压缩，在纳米尺寸的孔中竖直排列碳纳米管，以用作沟道。而且，使用普通半导体制造方法，在碳纳米管附近形成栅，然后源和漏形成在每个碳纳米管的上下部分，从而制做出具有电子开关特征的竖直纳米尺寸晶体管。

公开(公告)号：CN1734773B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200510092281.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  金元柱 ,  蔡熙顺 ,  蔡洙杜 ,  宋利宪

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系，其中所述第二非易失性存储器被翻转，使得所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的底部彼此相对，且所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的顶部在所述底部之间彼此面对。

公开(公告)号：CN100552958C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510084792.6

申请日：2005-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金汶庆 ,  李兆远 ,  金桢雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: G11C16/0475 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供了多位非易失性存储器件及其操作方法和制造方法。存储器件包括形成在半导体衬底内的沟道区及与沟道区形成肖特基接触的源极和漏极。而且，中心栅极电极位于沟道区的一部分上，且第一和第二侧壁栅极电极沿着中心栅极电极的外侧形成在沟道区上。第一和第二存储节点形成在沟道区和侧壁栅极电极之间。

公开(公告)号：CN1162911C

公开(公告)日：2004-08-18

申请号：CN01117737.3

申请日：2001-05-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金炳晚 ,  约-塞普闵 ,  李兆远 ,  李来成

IPC: H01L27/10 ,  G11C11/4197 ,  G11B9/00

CPC classification number: G11B9/14 ,  B82Y10/00 ,  G11B9/1409 ,  G11B9/149 ,  G11B11/03 ,  G11B11/08

Abstract: 采用碳素物质的可重写数据存储器，通过控制施加在悬臂尖电极头和导电层之间的电压，利用在导电层上电化学反应引起的电流写入或擦除由碳素物质代表的信息。此外还由所施加的电压的幅值或者持续施加时间，控制代表信息的碳素物质的尺寸。

公开(公告)号：CN1330412A

公开(公告)日：2002-01-09

申请号：CN01122021.X

申请日：2001-06-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  李兆远 ,  李永熙

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/17 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/775 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0508 ,  H01L51/057 ,  Y10S977/708 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/843 ,  Y10S977/938

Abstract: 提供使用碳纳米管能够实现高密度集成,即万亿比特规模集成的竖直纳米尺寸晶体管,及其制造方法。在使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管中,具有几个纳米直径的孔形成在诸如间隔几个纳米的矾土的绝缘层中,以通过CVD,电泳或机械压缩,在纳米尺寸的孔中竖直排列碳纳米管,以用作沟道。而且,使用普通半导体制造方法,在碳纳米管附近形成栅,然后源和漏形成在每个碳纳米管的上下部分,从而制做出具有电子开关特征的竖直纳米尺寸晶体管。