公开(公告)号：CN118678662A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202311531362.9

申请日：2023-11-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀暻 ,  黄灿 ,  郑钟贤 ,  李茂松

IPC: H10B12/00 ,  H10B61/00 ,  H10B63/00 ,  H10B63/10

Abstract: 一种制造半导体器件的方法可以包括：提供包括单元区域和外围区域的衬底；在所述单元区域上形成单元栅极结构；在所述外围区域上形成外围栅极结构；在所述单元区域上形成位线结构；形成初步导电层以覆盖所述位线结构和所述外围栅极结构；和蚀刻所述初步导电层以形成定位焊盘和外围导电焊盘。蚀刻所述初步导电层可以包括在所述初步导电层上形成下层和光致抗蚀剂层，对所述光致抗蚀剂层执行第一曝光工艺，对所述光致抗蚀剂层执行第二曝光工艺，和使用所述光致抗蚀剂层和所述下层作为蚀刻掩模蚀刻所述初步导电层。所述第一曝光工艺可以将所述光致抗蚀剂层的位于所述单元区域上的部分曝露于光。

公开(公告)号：CN111007702B

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN201910541162.9

申请日：2019-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李茂松 ,  李承润

IPC: G03F9/00

Abstract: 提供了曝光半导体结构的方法、设备及非暂时性计算机可读介质。可通过检测半导体晶圆结构上的对准标记来计算多个模型函数。可通过使用向模型函数的每个基函数分配不同权重的权重函数对模型函数进行组合来确定组合模型函数。因此，即使当对准标记或套准标记的不对称性对晶圆上的水平位置具有高度依赖性时，也确保了曝光工艺的可靠性。

公开(公告)号：CN117153820A

公开(公告)日：2023-12-01

申请号：CN202310194515.9

申请日：2023-03-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李茂松 ,  金真善 ,  郭仁浩 ,  朴道炫 ,  韩睿恩 ,  尹详皓 ,  李承润 ,  金暖莹

IPC: H01L23/544

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底，具有键区域；在键区域上的虚设有源图案，该虚设有源图案包括第一杂质区域和第二杂质区域；线结构，设置在第一杂质区域上并在第一方向上延伸；虚设栅电极，设置在第一杂质区域和第二杂质区域之间并在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及虚设接触部，被设置为与线结构的一侧相邻并连接到第二杂质区域。虚设接触部包括在第二方向上布置的多个长接触部。

公开(公告)号：CN117855075A

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202311280807.0

申请日：2023-09-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郭仁浩 ,  金真善 ,  李茂松 ,  李承润 ,  李汀镇 ,  黄灿 ,  朴道炫 ,  韩睿恩

IPC: H01L21/66

Abstract: 本发明公开一种重叠测量方法，在该重叠测量方法中，提供具有编程的重叠值的重叠标记。用电子束扫描重叠标记以获得电压对比图像。从电压对比图像数据获得根据重叠值而变化的缺陷函数。对缺陷函数执行自互相关以确定重叠。

公开(公告)号：CN111007702A

公开(公告)日：2020-04-14

申请号：CN201910541162.9

申请日：2019-06-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李茂松 ,  李承润

IPC: G03F9/00

Abstract: 提供了曝光半导体结构的方法、设备及非暂时性计算机可读介质。可通过检测半导体晶圆结构上的对准标记来计算多个模型函数。可通过使用向模型函数的每个基函数分配不同权重的权重函数对模型函数进行组合来确定组合模型函数。因此，即使当对准标记或套准标记的不对称性对晶圆上的水平位置具有高度依赖性时，也确保了曝光工艺的可靠性。

公开(公告)号：CN117619685A

公开(公告)日：2024-03-01

申请号：CN202311064575.5

申请日：2023-08-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李茂松 ,  尹详皓 ,  金炯局

IPC: B05D1/00 ,  B05D3/12 ,  B05D3/00 ,  B05D7/24 ,  H01L33/44

Abstract: 提供了旋涂机和通过使用该旋涂机来制造半导体器件的方法。所述方法包括：向晶片提供粘性溶液；使所述晶片自旋以用所述粘性溶液涂布所述晶片的至少一部分；以及通过使用声波来处理涂布有所述粘性溶液的所述晶片，其中，所述声波的频率和涂布有所述粘性溶液的所述晶片的本征频率是相同的。

公开(公告)号：CN117518728A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310808715.9

申请日：2023-07-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金秀暻 ,  黄灿 ,  郑钟贤 ,  李茂松

IPC: G03F7/20 ,  G03F7/38

Abstract: 公开了一种用于形成抗蚀图案的方法。根据该方法，通过使用无机光刻胶在衬底上形成感光层。用深紫外(DUV)光照射感光层。在照射DUV光之后，用极紫外(EUV)光照射感光层。对暴露于EUV光的感光层进行加热。对加热后的感光层进行显影。