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公开(公告)号：CN120032701A
公开(公告)日：2025-05-23
申请号：CN202411634949.7
申请日：2024-11-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/52 , G11C29/42 , G11C11/4097 , G11C11/4096 , G11C11/408
Abstract: 提供非易失性存储器装置及其操作方法、以及包括非易失性存储器装置和存储控制器的存储装置的操作方法。存储控制器的存储装置的操作方法包括：由存储控制器向非易失性存储器装置发送包括检错启用信息的设定特征命令；由存储控制器向非易失性存储器装置发送编程命令和写入数据；响应于编程命令，由非易失性存储器装置在将写入数据编程到存储器单元之前对页缓冲器电路的写入数据执行检错操作；当在写入数据中检测到错误时，由非易失性存储器装置将写入数据作为错误数据发送到存储控制器；以及当在写入数据中未检测到错误时，由非易失性存储器装置将写入数据编程到存储器单元。
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