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公开(公告)号：CN115985902A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211220578.9
申请日：2022-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种半导体封装件和该半导体封装件的制造方法。所述半导体封装件包括：封装件衬底；插入件，其设置在封装件衬底上；半导体芯片，其安装在插入件上；模制构件，其位于插入件上，并且围绕半导体芯片；第一密封构件，其位于模制构件上；以及散热构件，其位于封装件衬底上，并且覆盖插入件、半导体芯片和第一密封构件，其中，散热构件包括下结构和上结构，下结构接触封装件衬底的上表面，上结构位于下结构上，在第一密封构件上方延伸，并且包括微沟道和位于微沟道上的微柱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118152309A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311672551.8
申请日：2023-12-07
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种存储器设备和系统，包括多个物理接口。存储器设备包括缓冲裸片和存储器裸片堆叠，缓冲裸片包括被配置为与外部设备通信的第一接口电路和第二接口电路，存储器裸片堆栈安装在缓冲裸片上并且包括多个堆叠的存储器裸片。多个存储器裸片电连接到第一接口电路和第二接口电路，第一接口电路被配置为响应于第一选择信号而激活，并且第二接口电路被配置为响应于第二选择信号而激活。从存储器设备外部的存储器控制器接收第一选择信号和第二选择信号。
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公开(公告)号：CN115881692A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202211140509.7
申请日：2022-09-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/528 , H01L25/065
Abstract: 公开了一种半导体封装，可以包括竖直堆叠的半导体芯片以及将半导体芯片彼此连接的第一连接端子、第二连接端子和第三连接端子。每个半导体芯片可以包括半导体衬底、在半导体衬底上的互连层、通过半导体衬底与互连层连接的贯穿电极、以及在互连层上的第一组、第二组和第三组。互连层可以包括绝缘层以及在绝缘层中的第一金属层和第二金属层。第一组和第二组可以与第二金属层接触，并且第三组可以与第二金属层间隔开。第一组和第三组中的每一组可以包括以多对一的方式与第一连接端子和第三连接端子中的对应一个连接的焊盘。第二组可以包括以一对一的方式与第二连接端子连接的焊盘。
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公开(公告)号：CN112103257A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010134175.7
申请日：2020-03-02
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 提供了半导体封装件和半导体装置。所述半导体封装件包括：半导体芯片；和聚二甲基硅氧烷(PDMS)层，所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述半导体芯片上，所述聚二甲基硅氧烷层的上表面暴露于外部。由于半导体封装件可以包括PDMS层，所以半导体封装件在真空状态下的散热性能可以改善。
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公开(公告)号：CN118159037A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311156846.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B80/00 , H01L27/088
Abstract: 公开了一种存储器件，其包括：基础管芯，其包括一对第二管芯和位于所述一对第二管芯之间的第一管芯；以及存储堆叠，其包括在垂直方向上顺序堆叠在基础管芯上的存储管芯。第一管芯电连接到存储堆叠，并且第一管芯包括逻辑晶体管，该逻辑晶体管包括三维结构的沟道。
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公开(公告)号：CN118076117A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311196433.4
申请日：2023-09-15
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储器设备和包括该存储器设备的系统设备。存储器设备包括：基底管芯，包括被配置为接收数据信号的数据信号凸块；第一存储器堆叠，包括顺序堆叠在基底管芯上的第一存储器管芯；以及第二存储器堆叠，包括顺序堆叠在基底管芯上并且在平行于基底管芯的上表面的方向上与第一存储器堆叠间隔开的第二存储器管芯。基底管芯被配置为基于选择信号来选择性地向第一存储器堆叠或第二存储器堆叠之一提供通过数据信号凸块接收的数据信号。
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