公开(公告)号：CN103872200A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310675942.5

申请日：2013-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成淑 ,  金沃炫 ,  李东律 ,  李东柱 ,  李庭旭 ,  李宪昊

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/0062 ,  H01L33/32

Abstract: 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。

公开(公告)号：CN103872200B

公开(公告)日：2016-08-03

申请号：CN201310675942.5

申请日：2013-12-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成淑 ,  金沃炫 ,  李东律 ,  李东柱 ,  李庭旭 ,  李宪昊

IPC: H01L33/12 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/12 ,  H01L33/22

Abstract: 本公开提供了形成半导体层的方法、半导体发光器件及其制造方法。形成半导体层的方法包括：在衬底上形成多个纳米柱；在衬底上形成下部半导体层，以暴露至少部分的纳米柱；去除纳米柱，以在下部半导体层中形成空隙；以及在下部半导体层和空隙的上部上形成上部半导体层。