公开(公告)号：CN110993637A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910839913.5

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜玧求 ,  徐昌佑 ,  李多仁 ,  李昱烈 ,  郑会晟

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。所述可变电阻存储器件包括布置在衬底上的存储单元和位于存储单元之间的绝缘结构。每个所述存储单元包括竖直堆叠在所述衬底上的可变电阻图案和开关图案。所述绝缘结构包括位于所述存储单元之间的第一绝缘图案以及位于第一绝缘图案与每个所述存储单元之间的第二绝缘图案。所述第一绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN110993637B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN201910839913.5

申请日：2019-09-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 姜玧求 ,  徐昌佑 ,  李多仁 ,  李昱烈 ,  郑会晟

IPC: H10B63/10 ,  H10N70/00

Abstract: 本公开涉及可变电阻存储器件。所述可变电阻存储器件包括布置在衬底上的存储单元和位于存储单元之间的绝缘结构。每个所述存储单元包括竖直堆叠在所述衬底上的可变电阻图案和开关图案。所述绝缘结构包括位于所述存储单元之间的第一绝缘图案以及位于第一绝缘图案与每个所述存储单元之间的第二绝缘图案。所述第一绝缘图案包括与所述第二绝缘图案的材料不同的材料。

公开(公告)号：CN112447588A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010320780.3

申请日：2020-04-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俓旭 ,  姜玧求 ,  柳原锡 ,  李多仁

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/535

Abstract: 提供了一种集成电路装置。所述集成电路装置包括：导线，形成在基底上；绝缘间隔件，覆盖导线的侧壁并平行于导线延伸；以及导电插塞，与导线间隔开，且绝缘间隔件位于导线与导电插塞之间。绝缘间隔件包括：绝缘衬里，接触导线；外部间隔件，接触导电插塞；以及阻挡层，位于绝缘衬里与外部间隔件之间，以防止氧原子扩散到外部间隔件中。

公开(公告)号：CN119521657A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202410845027.4

申请日：2024-06-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俓旭 ,  姜相敏 ,  徐昌佑 ,  宋秀娟 ,  李多仁

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：第一有源图案和第二有源图案，其中每个包括中心部分和边缘部分，第一有源图案的中心部分和第二有源图案的边缘部分彼此相邻；在第一有源图案和第二有源图案之间的器件隔离图案；在第一有源图案的中心部分上的位线节点接触；在位线节点接触上的位线；在第二有源图案的边缘部分上的存储节点接触；在位线和存储节点接触之间的位线间隔物；以及在位线间隔物的下部和存储节点接触之间的间隙填充绝缘图案。第一有源图案的中心部分可以包括在其上部中的中心氧化物区。

公开(公告)号：CN114256157A

公开(公告)日：2022-03-29

申请号：CN202110646168.X

申请日：2021-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李多仁 ,  姜玧求 ,  柳原锡 ,  马振源 ,  朴俓旭 ,  徐昌佑 ,  宋秀娟

IPC: H01L21/8242

Abstract: 公开了一种用于制造包括气隙的半导体装置的方法。所述方法包括以下步骤：将半导体基底装载到腔室中，半导体基底包括氧化硅膜；通过供应第一硅源材料在氧化硅膜上沉积种子层；在种子层上供应吹扫气体；通过重复第一循环在种子层上沉积保护层，第一循环包括供应基体源材料层和随后供应第一硅源材料；以及通过重复第二循环在保护层上沉积氮化硅膜，第二循环包括供应第二硅源材料和随后供应氮源材料。

公开(公告)号：CN117500268A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310960724.X

申请日：2023-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐昌佑 ,  沈玄哲 ,  李多仁 ,  宋秀娟 ,  宋定垠 ,  柳原锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板，包括沟槽和接触凹陷；直接接触，设置在沟槽内部并具有比沟槽的宽度小的宽度；位线结构，设置在直接接触上并具有比沟槽的宽度小的宽度；间隔物结构，设置在直接接触的侧表面和位线结构的侧表面上；以及掩埋接触，通过间隔物结构与直接接触和位线结构间隔开并填充接触凹陷。间隔物结构包括：氧化物膜，在沟槽内部设置在直接接触和掩埋接触之间；籽晶层，设置在氧化物膜上并在沟槽内部设置在直接接触和掩埋接触之间；以及体层，在籽晶层上填充沟槽并包括硅氮化物。籽晶层包括碳。

公开(公告)号：CN116741729A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310175891.3

申请日：2023-02-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴俓旭 ,  姜相敏 ,  姜玧求 ,  徐昌佑 ,  宋秀妍 ,  李多仁

IPC: H01L23/48 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件可以包括位于衬底上的接触插塞结构以及填充所述接触插塞结构之间的空间以使所述接触插塞结构彼此绝缘的绝缘结构。所述接触插塞结构可以在第一方向上彼此间隔开。所述绝缘结构可以包括第一绝缘图案和第二绝缘图案。所述第二绝缘图案可以包括相对于氧化硅具有蚀刻选择性的绝缘材料。所述第一绝缘图案可以接触所述第二绝缘图案的侧壁的一部分和所述接触插塞结构的侧壁的一部分。所述第一绝缘图案可以包括带隙高于所述第二绝缘图案的带隙的材料。