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发明公开
半导体存储器件审中-公开

公开(公告)号：CN117500268A

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202310960724.X

申请日：2023-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐昌佑 , 沈玄哲 , 李多仁 , 宋秀娟 , 宋定垠 , 柳原锡

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体存储器件包括：基板，包括沟槽和接触凹陷；直接接触，设置在沟槽内部并具有比沟槽的宽度小的宽度；位线结构，设置在直接接触上并具有比沟槽的宽度小的宽度；间隔物结构，设置在直接接触的侧表面和位线结构的侧表面上；以及掩埋接触，通过间隔物结构与直接接触和位线结构间隔开并填充接触凹陷。间隔物结构包括：氧化物膜，在沟槽内部设置在直接接触和掩埋接触之间；籽晶层，设置在氧化物膜上并在沟槽内部设置在直接接触和掩埋接触之间；以及体层，在籽晶层上填充沟槽并包括硅氮化物。籽晶层包括碳。

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